习题911-2,11-4,11-7 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第302页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第302页 习题9 11-2, 11-4, 11-7
52半导体存储器 521随机存取存储器 522只读存储器 LSI在应用上分类:专用型,为专门设备或用途而设计 通用型,可用在不同数字设备中 在制造工艺上分类:双极型 MOS型 按功能,存储器分为: 只读存储器(READ- ONLY MEMORY,ROM) 随机存取存储器( RANDOM- ACCESS MEMORY,RAM) 顺序存取存储器( SEQUENTIAL ACCESS MEMORY,SAM) 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第303页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第303页 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 LSI在应用上分类：专用型，为专门设备或用途而设计 通用型，可用在不同数字设备中 在制造工艺上分类：双极型 MOS型 按功能，存储器分为： 只读存储器（READ－ONLYMEMORY，ROM） 随机存取存储器（RANDOM－ACCESS MEMORY，RAM） 顺序存取存储器（SEQUENTIAL ACCESS MEMORY，SAM）
521随机存取存储器 在使用RAM时可以随时从任一指定地址取出(读出)数据, 也可以随时将数据存入(写入)任何指定地址的存储单元中 去。 →优点:读写方便,使用灵活。 缺点:存在易失性,一旦断电所存储的数据便会丢失,不 利于数据长期保存。 按存储单元的特性分为: SRAM:静态随机存储器 DRAM:动态随机存储器 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第304页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第304页 5.2.1随机存取存储器 在使用RAM时可以随时从任一指定地址取出（读出）数据， 也可以随时将数据存入（写入）任何指定地址的存储单元中 去。 •优点：读写方便，使用灵活。 •缺点：存在易失性，一旦断电所存储的数据便会丢失，不 利于数据长期保存。 按存储单元的特性分为： SRAM：静态随机存储器 DRAM：动态随机存储器
5211RAM的结构及工作原理 RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三 部分组成,见图1。 地址输入 地址译码器 读 存储矩阵 写控数据输入瀚输出 制电心 (O) 路 R/NCS 图1RAM的结构框图 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第305页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第305页 地 址 译 码 器 存储矩阵 读/ 写控 制电 路 数据输入/输出 (I/O) R /W CS 地 址 输 入 图1 RAM的结构框图 5.2.1.1RAM的结构及工作原理 RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三 部分组成，见图1
存储矩阵:在译码器和读/写控制电路的控制下既可以写入1或 0,又可以将所存储的数据读出。存储矩阵中的单元个数即存 储容量 地址译码器:将输入的地址代码译成某一条字线的输出信号 使连接在这条字线上的存储单元或读/写控制电路接通,然后 才能对这些单元进行读或写。 读/写控制电路:对电路的工作状态进行控制 片选输入端CS,读/写控制,输出缓冲电路 R/W=1,执行读操作,将存储单元里的内容送到输入输出端上 R/W=0,执行写操作,输入瀚输出线上的数据被写入存储器; CS=1时RAM的输入输出端与外部总线接通; CS=0时RAM的输入输出端呈高阻态,不能与总线交换数据; 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第306页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第306页 •存储矩阵：在译码器和读/写控制电路的控制下既可以写入1或 0，又可以将所存储的数据读出。存储矩阵中的单元个数即存 储容量 •地址译码器：将输入的地址代码译成某一条字线的输出信号， 使连接在这条字线上的存储单元或读/写控制电路接通，然后 才能对这些单元进行读或写。 •读/写控制电路：对电路的工作状态进行控制 片选输入端CS，读/写控制，输出缓冲电路 R /W R /W =1，执行读操作，将存储单元里的内容送到输入/输出端上； =0，执行写操作，输入/输出线上的数据被写入存储器； CS=1时RAM的输入/输出端与外部总线接通； CS=0时RAM的输入/输出端呈高阻态，不能与总线交换数据；