§5.4复合理论 1、载流子的复合形式: 1)直接复合(2)回间接复合 ec Eg Et Ey
（2）间接复合 Ec Ev （1）直接复合 §5.4 复 合 理 论 1、载流子的复合形式：
2带间直接复合:复合率R=mp-(1 其中,「是电子空穴的复合几率,与n和p无关 热平衡时:G0=R0= nope=mn2 2) 假设复合中心浓度》多子浓度,于是∠n≈_p, 则过剩载流子的净复合率 Ud=R-G =r(np-nopor( no+po)+r(4p )2 即U≈r(no+po)+r(∠p)2 (3) 所以,过剩载流子的寿命: t △p ao+p0)+△p]
其中，r是电子空穴的复合几率，与n和p无关。 热平衡时： G0=R0=rn0p0=rni2 （2） 假设复合中心浓度》多子浓度，于是⊿n ≈ ⊿p， 则过剩载流子的净复合率 Ud=R-G =r（np-n0p0≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ）2 （3） 2、带间直接复合：复合率 R=rnp （1） 所以，过剩载流子的寿命： ( ) (4) r n p p 1 p U 1 d 0 0 ⎯→ + + = =
讨论:连小信号情况时△和<或 IT 型>70>>P b)对于强型口p>则x (7 p ()对本征半导体则x 2 (2大信号情况M和A<利 )⑨)即x和z只与非平衡载流子的寿命相关 r Ap
讨论： ( ) 1 在小信号情况时 n和p n0 或p0 ( ) (5) 1 0 0 ⎯→ + r n p 非平衡载流子的寿命是常数 ( ) a 对于强n型 n0 p0 (6) 1 0 ⎯→ rn p 则 ( ) b 对于强p型 p0 n0 (7) 1 0 ⎯→ rp n 则 (c)对本征半导体 (8) 2 1 ⎯→ i i rn 则 ( ) 2 大信号情况 n和p n0 和p0 (9) 1 ⎯→ = = r p n p 则 即 n 和 p 只与非平衡载流子的寿命相关