1.长波近似和电偶极跃迁 原子辐射光和吸收光是很常见的现象,并且是人们认识原子结构的重要手段。原子向外发出光辐射 有两种方式:受激辐射和自发辐射。严格来说,这些过程都要用量子电动力学(把电磁场量子化)的理 论来处理,但是在一定的条件下,用量子力学来处理光的吸收和受激辐射也可以得到很好的结果

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

例1.设p型硅(如图7-2),受主浓度N4=10ycm3,试求: (1)室温下费米能级F的位置和功函数 (2)不计表面态的影响,该p型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层?

例1.某p型半导体掺杂浓度NA=10cm3少子寿命=10us在均匀光的照射下产 生非平衡载流子,其产生率g=1018/cm3·s试计算室温时光照情况下的费米能级 并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度=1010cm-3 p. =N, =n, exp(-EE) 思路与解:(1)无光照时空穴浓度

1.Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是()。 A.正高子填隙 B.正离子缺位 C.负离子填隙

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为

一、选择填空(含多项选择) 1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量() A.比半导体的大B.比半导体的小C.与半导体的相等