子福MM1949UNIVER续表HS-1型HT-1 型HT-2型HZ-4 型HZ-2型HZ-3 型HZ-1 型材料(N 型)单位符号参数名称InSbInSbInAsGe(100)Ge(111)Ge(111)Ge(111)1.5%0.03%-1.5%1/℃0.04%0.04%0.04%霍尔电势温度系数a0. 5%0.3%-0.5%0.5%β1/℃0.5%0.5%内阻温度系数0.10.2热阻RsC/mW0. 40.25-40~600~400~40Tc-40~75-40~45-40~45工作温度—40~45112025/6/24
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子福M丛（续）1949霍耳元件的主要外特性参数1额定激励电流和最大允许激励电流当霍尔元件自身温升10℃C时所流过的激励电流称为额定激励电流。以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励申流。2）3输入电阻和输出电阻激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源其电源内阻即为输出电阻。122025/6/24
2025/6/24 12 霍耳元件的主要外特性参数（续） ◼ 1） 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励 电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升 为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电 流。 ◼ 2） 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔 电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源
子R福M丛1949UNIVERS霍尔元件测量误差及补偿零位误差及补偿温度特性及补偿132025/6/24
2025/6/24 13 霍尔元件测量误差及补偿 ◼ 零位误差及补偿 ◼ 温度特性及补偿
92r2r3零位误差及补偿r1r4021：霍尔元件的零位误差：外电场为零时，通以一定的电流，也有电势输出，即：±0U。= K,IBB=02.产生的原因有：霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；1②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀（如片厚薄不均匀等）；③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。这些工艺上问题都将使等位面歪斜，致使两霍尔电极不在同一等位面上而产生不等位电势。142025/6/24
2025/6/24 14 零位误差及补偿 1．霍尔元件的零位误差：外电场为零时，通以一定的电流， 也有电势输出，即： 2.产生的原因有: ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上; ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀 （如片厚薄不均匀等）; ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 这些工艺上问题都将使等位面歪斜，致使两霍尔电极不在同一等 位面上而产生不等位电势。 0 0 0 = H B= U K IB 1 1 2 2 r3 r2 r1 r4 I
T.IHoRoUHIo温度特性及补偿roO1.温度特性Rt /Ro (%) Uat /Uro (%)303000Si(1)Si(2)2020Ge (Hz-4)00SiInAsInAs1010Ge(Hz-2)Ge (Hz-1、2、3)300InSbInSb02040600204060808010 t(℃)10 t(℃)--4020040200图图霍尔电势与温度的关系曲线霍尔元件电阻与温度的关系曲线2.温度补偿，方法：采用恒流源供电的方法加以补偿152025/6/24
2025/6/24 15 温度特性及补偿 0 20 40 60 80 10 0 - 20 - 40 10 0 20 0 30 0 t(℃) Rt/R0(%) 图 霍尔元件电阻与温度的关系曲线 0 20 40 60 80 10 0 - 20 - 40 10 0 20 0 30 0 t(℃) UHt/UH0(%) 图 霍尔电势与温度的关系曲线 Si(1) Si(2) Ge(Hz-4) Ge(Hz-2) InAs InSb -1 -3 InSb InAs Ge(Hz-1、2、3) Si 1．温度特性 2.温度补偿，方法：采用恒流源供电的方法加以补偿 I H0 R0 UH r0 I0 I