子福MM1949UNIVERSI霍耳传感器本章主要学习霍耳传感器的工作原理、霍耳集成电路的特性及其在检测技术中的应用，还涉及磁场测量技术霍耳元件是一种四端元件2025/6/241
2025/6/24 1 霍耳传感器 本章主要学习霍耳传感器 的工作原 理、霍耳集成电路的特性及其在检测技 术中的应用，还涉及磁场测量技术。 霍耳元件是 一种四端元件
牙R福MM1949第一节霍耳传感器的工作原理NIVER霍耳效应导体或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片，当有电流流Lin过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势图霍尔效应E，这种现象称为A、B-家尔电极C、D-控制电极霍耳效应。22025/6/24
2025/6/24 2 第一节 霍耳传感器的工作原理 一、霍耳效应 导体或半导体 薄片置于磁感应强 度为B 的磁场中， 磁场方向垂直于薄 片，当有电流I 流 过薄片时，在垂直 于电流和磁场的方 向上将产生电动势 EH，这种现象称为 霍耳效应
+A$M丛1949IUNIVERSITB=0daInVE=0+磁感应强度B为零时的情况32025/6/24
2025/6/24 3 磁感应强度B为零时的情况 c d a b
子福M丛1949磁感应强度B较大时的情况UNIVERSEBo0mEM作用在导体或半导体薄片上的磁场强度B越强，霍耳电势也就越高。霍耳电势E,可用下式表示：EH-K-IB2025/6/24
2025/6/24 4 磁感应强度B 较大时的情况 作用在导体或半导体薄片上的磁场强度B越 强，霍耳电势也就越高。霍耳电势EH可用下式 表示： EH =KH IB
+福霍耳效应演示MM1949UNIVER机械工业出版社http://www.cmpbook.comdEi=0当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片cd方向的端面之间建立起霍耳电势。52025/6/24
2025/6/24 5 霍耳效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑 兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、 d方向的端面之间建立起霍耳电势。 c d a b