系统胡线 AEN 控制总线 06 ALE CLK RESET G READY OE 373 A-A 3片) BHE 地址总线 存篇器 LO接口 0 JLS 245 DT 2 2片 数据 DEN 19
淹根型RG利 EP限0M《素外光可拳除可编)，知l27162×) 可编程ROM(PROM) 273408)27648)27216成× 可缘除可编程RO( 扩展用存储器 EROM(电可海豫、可编图. 如：1me28162816A.287.2817A.2864A KEPROM香提保护，具有老码保护动使) R 双极型RAM 静志RAM,如：证61162×86264点8 AMOS型RAM 动态RAM.如：n21868×8、21除×8 非品失性RAM (VRAM 图4,12常用半导体存储器分类
地址信号 意出 控制信号 数是信号 图4.13存取时司出饮山
16 2 S14 ￥e Y G44 13 G 5 74LS13w2 G 6 1 龙 7 10 ￥ GND 9 图4.1474S138的引钾配置
A A 四0E A回 2216 国A A回 国CEPGM 回0 0回 回0， 0回 回0 0回 回0 OD回 回0 图4.152716 EPROM的钾是置