第九章内容小结 静电场中的导体 导体静电平衡条件电荷分布场强分布 二静电场中的电介质 a0E真空中 1.D= E0,E介质中 2.高斯定理∮D·S=∑q □(下一页)
第九章内容小结 一.静电场中的导体 导体静电平衡条件 电荷分布 场强分布 二.静电场中的电介质 1. D = E 0 r E 0 介质中 真空中 2. 高斯定理 • = S D dS qi （下一页）
电容电容器 孤立导体C 电容器C= B 四.电场能量 1电容器∥=92、aw2ou 2C2 2 2电场W=Jwl 电场能 量密度:W=E 2 五.求C的方法 定义法q→>E→>U4B→C AB 能量法q→>E→>1→W→C=只 2W 冈□(下一页)
三. 电容 电容器 孤立导体 u q C = 电容器 uA uB q C − = 四.电场能量 1. 电容器 Cu Qu C Q W 2 1 2 1 2 2 2 = = = 2.电场 = V W wdV 五. 求 C 的方法 定义法 能量法 （下一页） 2 2 1 w = E 电场能 量密度： A B A B U q q → E →U → C = W q q E w W C 2 2 → → → → =
讨论题 B 1.带电导体A附近4 E P点E OP 移近带电体B ★P点E是否改变?改变! ☆ 是否仍成立?成立! 不过E随σ变。 (下一页)
A qA 讨论题 P E B qB 1. 带电导体 A 附近 0 P 点 E = 移近带电体 B 问: P 点 E 是否改变? 0 E = 是否仍成立? （下一页） 改变! 成立！ 不过 E 随σ 变
2.导体壳A t a q +o P B 十B移近A,+Q在P点的E20 +静电屏蔽是怎样体现的 冈(下一页)
A P + q − q + Q B 静电屏蔽是怎样体现的? B 移近 A ， 2. 导 体 壳 A （下一页） +Q 在 P 点的 E = 0 ?
3平行板电容充电后与电源断开 插入介质 不变 不变 E 不变 E-O U=Ea↓ u=Ed Eos C =OE. w 9 、q 2C 2C 冈(下一页)
3.平行板电容充电后与电源断开 q E U C W d 插入介质 不变 0 E = 不变 U = Edd S C 0 = C q W 2 2 = 不变 r E 0 = U = Edd S C 0 r = C q W 2 2 = （下一页）