3.20世纪40年代 1948年后期，Shockley发明FET Emitter 工作原理：基于体内埋沟导电，电流通 Collector 道由栅极下面的耗尽层宽度来调制 Base 开始表面态的研究 点接触型晶体管发明 F 极 双极结型晶体管发明 VG 三中 VD 美国贝尔实验室的研究员威廉姆·肖克利 Focus on元素半导体如硅、锗 博士和约翰巴丁博士、瓦尔特伯莱顿博 士1947年，1956年的诺贝尔物理学奖
3. 20世纪40年代 • 1948年后期，Shockley发明JFET – 工作原理：基于体内埋沟导电，电流通 道由栅极下面的耗尽层宽度来调制 开始表面态的研究 点接触型晶体管发明 双极结型晶体管发明 Focus on 元素半导体如硅、锗 源 栅极 漏 栅极 VG VD 美国贝尔实验室的研究员威廉姆·肖克利 博士和约翰·巴丁博士、瓦尔特·伯莱顿博 士1947年，1956年的诺贝尔物理学奖
4.20世纪50年代 g=0 J(Wo) ·TFT的研究很不活跃 ● Shockley建立JFET的数学模型 Va Wo/4 -源极：n沟道的负端 w/2 3wo/4 -漏极：n沟道的正端 Wo 2Wo lvdl→ -栅极：控制电极 一逐次沟道近似模型 -夹断 -载流子迁移率μ
4. 20世纪50年代 • TFT的研究很不活跃 • Shockley建立JFET的数学模型 – 源极：n沟道的负端 – 漏极： n沟道的正端 – 栅极：控制电极 – 逐次沟道近似模型 – 夹断 – 载流子迁移率μ
定义： 夹断（pinch off) 一表示在源漏间的一个点，在该点处的载流子密度接近为0 ·载流子迁移率 一单位电场下的电子（空穴）漂移速度，是表征材料中载流子移动的难易程 度的物理量。单位cm2Vs。在TFT中表示栅极电场诱导产生的载流子漂移 迁移率
• 夹断（pinch off） – 表示在源漏间的一个点，在该点处的载流子密度接近为0 • 载流子迁移率 – 单位电场下的电子（空穴）漂移速度，是表征材料中载流子移动的难易程 度的物理量。单位cm2/V·s。在TFT中表示栅极电场诱导产生的载流子漂移 迁移率。 定义: