+Vcc6.1.1BJT电流源电路IREF3.高输出阻抗电流源IB3T3+VVVVBE3BE2EECCREFRC2IBAT122REFAVEEA,和A.分别是T和T，的相对结面积动态输出电阻r.远比微电流源的动态输出电阻为高HOME
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 R V V V V I CC BE3 BE2 EE REF REF 1 3 o C2 I A A I I
6.1.1EBJT电流源电路+Vcc4.组合电流源T、R和T.支路产生基准电流TeIREFT和T、T和T.构成镜像电流源RIREFT,和T3，T,和T.构成了微电流源1LEB4BE1ER13REFR-VEEHOME
T1、R1和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源
6.1.2FET电流源+VDD1.MOSFET镜像电流源IREFR +VssVVDDGSID2=I。Io = I D2 = IREFd2RNMOSdi+当器件具有不同的宽长比时VDs?VDS1TiT-g+W./LVGs（2=0)REF-Vssds2MOSFET基本镜像电路流HOME
当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I （=0） ro = rds2 MOSFET基本镜像电路流
6.1.2FET电流源+VDD1.MOSFET镜像电流源IREF用T代替R，TT特性相同，T3ID2=I。且工作在放大区，当入=0时，输出电流为TI D2 = (W / L), K'2 (VGs2 - VT2)十VGs= K.2( cs2 - Vt2)2-Vss常用的镜像电流源HOME
2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V 用T3代替R，T1~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源
6.1.2FET电流源2.MOSFET多路电流源+VDDIREF=IDoIDO=IREFKno (VGso -Vro)?NMOS T.+ ID3ID4ID2W,/L102VGSOREFW./LNMOS TIT3T4T2人装十十ID3XREFVGS1VGS2VG$3VGS4REF-VssHOME
REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I