扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结 多子形成空间电荷区促使少子 扩散 移 N区 区长空间电荷区才N区 ○。③③④ ○G⊙④!④ ooo ④④⊕⊕④④ ④A。9Qd由,④ 内电场方向 载流子的扩散运动 PN结及其内电场 PN结视频
P 区 空间电荷区 N 区 PN 结及其内电场 内电场方向 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ P 区 N 区 载流子的扩散运动 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 多子 扩散 形成空间电荷区 产生内电场 少子 漂移 促使 阻止 扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结 PN结视频
PN结的单向导电性 ①外加正向电压(也叫正向偏置) 外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散 运动大大超过漂移运动,N区电子不断扩散到P区 ,P区空穴不断扩散到N区,形成较大的正向电流 ,这时称PN结处于导通状态 空间电荷区 变窄 PN结视频 piQ|④;N F外电场 内电场 R
①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散 运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区 ，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流 ，这时称PN结处于导通状态。 PN结的单向导电性 空间电荷区 变窄 E R 内电场 外电场 P N I F ＋ ＋ ＋ PN结视频
②外加反向电压(也叫反向偏置) 外加电场与内电场方向相同,增强了内电 场,多子扩散难以进行,少子在电场作用 下形成反向电流I,因为是少子漂移运动 产生的,I:很小,这时称PN结处于截止状 态 空间电荷区 变宽 QQQ④由 PQ④④④}N PN结视频 ee○(G 内电场 外电场R E R
E R 内电场 外电场 空间电荷区 变宽 P N I R ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电 场，多子扩散难以进行，少子在电场作用 下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动 产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状 态。 PN结视频
1.半导体二极管的结构与符号 个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来,就 构成了半导体二极管,简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接 触型两类 点接触型二极管PN结面积很小,结电容很小,多用 于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大,结电容也小,多用在 低频整流电路中。 阳极
1.1.2 半导体二极管 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就 构成了半导体二极管，简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接 触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用 于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在 低频整流电路中。 阳极 阴极 1．半导体二极管的结构与符号
2.半导体二极管的伏安特性曲线 (1)正向特性 Ⅰ/mA 外加正向电压较小时,外 40 电场不足以克服内电场对 30 正向特性 多子扩散的阻力,PN结仍 60-40-2010 处于截止状态。 00.40.8U 正向电压大于死区电压后 反向特性 ,正向电流随着正向电压 增大迅速上升。通常死区 电压硅管约为0.5V,锗管 约为02V。 半导体二极管视频 (2)反向特性 外加反向电压时,ⅨN结处于截止状态,反向电流很小。 反向电压大于击穿电压时,反向电流急剧增加
-60 -40 -20 0.4 0.8 U /V 40 30 20 10 I /mA 0 正向特性 反向特性 2．半导体二极管的伏安特性曲线 （1）正向特性 外加正向电压较小时，外 电场不足以克服内电场对 多子扩散的阻力，PN结仍 处于截止状态。 正向电压大于死区电压后 ，正向电流随着正向电压 增大迅速上升。通常死区 电压硅管约为0.5V，锗管 约为0.2V。 外加反向电压时，PN结处于截止状态，反向电流很小。 反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。 （2）反向特性 半导体二极管视频