空穴运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个 空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会 被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴 的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方 向的运动。 本征半导体中有两种载流子:带负电荷的自由电子和带正 电荷的空穴 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的,电子和空穴 又可能重新结合而成对消失,称为复合。在一定温度下自 由电子和空穴维持一定的浓度。 原子结构视频
空穴运动 （与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个 空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会 被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴 的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方 向的运动。 本征半导体中有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正 电荷的空穴 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴 又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自 由电子和空穴维持一定的浓度。 原子结构视频
在纯净半导体中掺入某些微量杂 质,其导电能力将大大增强。 N型半导体视频 N型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素,由于这 类元素的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键 结构中,由于存在多余的价电子而产生大量自由电子 这种半导体主要靠自由电子导电,称为电子半导体或N 型半导体,其中自由电子为多数载流子,热激发形成的 空穴为少数载流子。 自由电子 多数载流子(简称多子) 空穴 少数载流子(简称少子)
在纯净半导体中掺入某些微量杂 质，其导电能力将大大增强。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这 类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键 结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子， 这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N 型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的 空穴为少数载流子。 N型半导体 自由电子 多数载流子（简称多子） 空 穴 少数载流子（简称少子） N型半导体视频
P型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素,由于 这类元素的原子最外层只有3个价电子,故在构成的 共价键结构中,由于缺少价电子而形成大量空穴, 这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动, 称为空穴半导体或P型半导体,其中空穴为多数载 流子,热激发形成的自由电子是少数载流子 空穴 多数载流子(简称多子) 自由电子 少数载流子(简称少子) P型半导体视频
P型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于 这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的 共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴， 这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动， 称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载 流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。 自由电子 空 穴 多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子） P型半导体视频
。④。④。④ 。e,④:|eQQ 。④·。④ ooo ⊙③。③ N型半导体 P型半导体 无论是P型半导体还是N型半导体都是中 性的,对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流 子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的,其数量 的多少决定于温度
N 型半导体 P 型半导体 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 无论是P型半导体还是N型半导体都是中 性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流 子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量 的多少决定于温度
2.PN结及其单向导电 PN结视频 PN结的形成 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两 种运动方式。载流子在电场作用下的定向运 动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子 浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会 从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种 运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体, 另一侧掺杂成N型半导体,在两种半导体的 交界面处将形成一个特殊的薄层→PN结
2．PN结及其单向导电 性 PN结的形成 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两 种运动方式。载流子在电场作用下的定向运 动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子 浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会 从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体， 另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的 交界面处将形成一个特殊的薄层→PN结。 PN结视频