S域中的传输函数 口传输函数的通用表达式 H(S) G(S) F() 0 S H(S)分母的根为极点 只有所有的根的实部都是负数时,电路加激励后 才能趋于稳定 ☆H(S)分子的根为零点 零点位于波特图的左半平面时,有利于反馈放大 器的稳定 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 11 S域中的传输函数 传输函数的通用表达式 H(s)分母的根为极点 只有所有的根的实部都是负数时，电路加激励后 才能趋于稳定 H(s)分子的根为零点 零点位于波特图的左半平面时，有利于反馈放大 器的稳定 ( 1 ) ( 1 ) ( 1 ) ( 1 ) ( ) ( ) ( ) 1 1 0 n m p s p s z s z s H F s G s H s
为什么重点分析极点和零点? 第10章会专门讲 ogIB H(oo) Excessive 20logIB H(oo)l Gain 主极点≌带宽 0707A点 o(log scale) o(log scale 对应的频率) o(log scale) g scale 2、构成反馈系 180° 统后,极零点 /BH(o)t Excessive Phase 决定着系统能 否稳定 X(s) H(s) Y(s TaD 下面在分析放大 器的频率特性时 主要是分析传输 函数的极零点 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 12 为什么重点分析极点和零点？ 第10章会专门讲 1、主极点 带宽 （0.707AV 点 对应的频率） 2、构成反馈系 统后，极零点 决定着系统能 否稳定 下面在分析放大 器的频率特性时 主要是分析传输 函数的极零点
用S域分析法分析电路频率特性示例 R+1/sC 极点P sRC+ RC (f) 传输函数是单个极点 1+j2yf/RC P=-1/RC 电容会影响电压增益 ( fn =1/2TRC 和相位。当信号频率 足够高时(远大于 1+ P),电压增益降为0, 引入-90相移 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 13 用 S域分析法分析电路频率特性示例 vi v o R sC sC v v o i 1 / 1 / / 1 1 / sRC v v o i j fRC f v v i o 1 2 1 ( ) f RC f f j f v v p p i o , 1 / 2 1 1 ( ) 传输函数是单个极点 P=-1/RC RC P 1 极点 电容会影响电压增益 和相位。当信号频率 足够高时（远大于 P），电压增益降为 0 ， 引入-90 0相移
本讲放大器的频率特性 口概述 线性电路的S域分析法 ☆密勒效应 ☆极点与结点的关联 口共源级 口源跟随器 口共栅级 口共源共栅级 口差分对 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 14 本讲 放大器的频率特性 概述 线性电路的 S域分析法 密勒效应 极点与结点的关联 共源级 源跟随器 共栅级 共源共栅级 差分对
密勒效应和密勒定理 口密勒效应 ◆用密勒定理来表述 “如果图a中电路可以转换成图b中电路,则Z1=Z(1-A) Z2=Z/(1-A、),其中 实质 把X与Y之间的阻抗的影响转换成X和Y对“地”的阻抗 种为了方便电路分析而进行的电路转换 X (1-A,) y 0=2 Z A Z Z Z A 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 15 密勒效应和密勒定理 密勒效应 用密勒定理来表述 “如果图 a中电路可以转换成图 b中电路，则Z1=Z/(1-A v )， Z2=Z/(1-A v -1 )，其中 A v=V Y/V X ” 实质 把 X 与 Y之间的阻抗的影响转换成 X 和 Y对“地”的阻抗 一种为了方便电路分析而进行的电路转换 Z1 Z (1 A v ) ( 1 ) 2 1 A v Z Z X Y v V V A v X Y X Y X A Z V V Z Z Z V Z V V 1 1 , 1 1 2 1 2 1 1 , v Y X X Y Y A Z V V Z Z Z V Z V V