P型半导体的结构示意图如图际示 000空穴 硼原子核 P型半导体中: 空穴是多数载流子,主要由掺杂形成; 电子是少数载流子,由热激发形成
P型半导体的结构示意图如图所示： 硼原子核 空穴 P型半导体中： 空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成
3.1.4杂质半导体 3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响 些典型的数据如下: ①T=300K室温下本征硅的电子和空穴浓度: n=p=1.4×1010cm3 ②摻杂后N型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 ③本征硅的原子浓度:496×102cm3 少三个浓度基本上依次相差10°cm3 HO配E
3. 杂质对半导体导电性的影响 3.1.4 杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响， 一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
本节中的有关概念 本征半导体、杂质半导体 施主杂质、受主杂质 ·N型半导体、P型半导体 自由电子、空穴 ·多数载流子、少数载流子 Hoiv配 end
• 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 • 自由电子、空穴 • N型半导体、P型半导体 • 多数载流子、少数载流子 • 施主杂质、受主杂质 end
3.2PN结的形成及特性 3.2.1载流子的漂移与扩散 32.2PN结的形成 3.2.3PN结的单向导电性 3.2.4PN结的反向击穿 32.5PN结的电容效应 HO配E
3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
3.2.1载流子的漂移与扩散 漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动 扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运 动 HO配E
3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运 动