S的刻蚀方法的选择性与各向异性特性 HNa KOH XeF2 sFe RIE plasma 刻蚀类型 湿法湿法干法千法干法 刻蚀各向异性否 疋 不定是 刻蚀速率 (um/min) 氮化硅刻蚀很低很低很低|很低很亻 氧化硅刻蚀30m/m10m/m很低很低很低 A1刻蚀 疋 Au刻蚀 可能否 P型Si刻蚀 否否是 否否是
Si的刻蚀方法的选择性与各向异性特性 HNA KOH XeF2 SF6 plasma RIE 刻蚀类型 刻蚀各向异性 刻蚀速率 (m/min) 氮化硅刻蚀 氧化硅刻蚀 Al刻蚀 Au刻蚀 P型Si刻蚀 湿法 否 1-3 很低 30nm/m 是 可能 是 湿法 是 1-2 很低 10nm/m 是 否 否 干法 否 1-3 很低 很低 否 否 是 干法 不定 1 很低 很低 否 否 是 干法 是 >1 很低 很低 否 否 是
<100>S在化学侵蚀后的表面及断面图 SiOh, mask 3i0, Fank ◆Si的各向异性刻蚀可被用来制造各种规则的形状,如倒金字 塔形、坑道形等
<100>Si片在化学侵蚀后的表面及断面图 ◆ Si的各向异性刻蚀可被用来制造各种规则的形状，如倒金字 塔形、坑道形等
Si片背刻蚀后得到的薄膜器件 Si的各向异性刻蚀被用来制造各种薄膜器件。其中,可利用 SiO23、p型搀杂Si的选择性刻蚀特性
Si片背刻蚀后得到的薄膜器件 Si的各向异性刻蚀被用来制造各种薄膜器件。其中，可利用 SiO2、p型搀杂Si的选择性刻蚀特性
Si片背刻蚀后得到的薄膜器件 51 20%KOH 72Cx10 hrs, etches silicon along the(111)crystal plane giving a 53 angle. Si3N4 is the masking material for the etching
20% KOH @ 72C10 hrs, etches silicon along the (111) crystal plane giving a 53 angle. Si3N4 is the masking material for the etching. Si片背刻蚀后得到的薄膜器件
<100Si各向异性化学侵蚀后的悬臂梁结构 bandit 4吗 Si的各向异性刻蚀可被用来制造微型悬臂梁机构
<100>Si各向异性化学侵蚀后的悬臂梁结构 Si的各向异性刻蚀可被用来制造微型悬臂梁机构