薄膜材料与纳米技术 Thin Film Materials Nanotechnology 北京科技大学材料科学学院唐伟忠 62332475 E-mai wztang@mater.ustb.edu.cn 课件下载网址:wztangteaching(@sina.com 下载密码 123456
薄膜材料与纳米技术 Thin Film Materials & Nanotechnology 北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 2475 E-mail: wztang@mater.ustb.edu.cn 课件下载网址： wztang_teaching@sina.com 下 载 密 码： 123456
第五讲 薄膜材料制备的CVD方法 Preparation of thin films by CVD methods
第五讲 薄膜材料制备的CVD方法 Preparation of thin films by CVD methods
提要 ◆CVD过程中典型的化学反应 ◆CVD过程的热力学 ◆CVD过程的动力学 ◆CVD过程的数值模拟技术 ◆CVD薄膜沉积装置
提 要 ◆ CVD过程中典型的化学反应 ◆ CVD过程的热力学 ◆ CVD过程的动力学 ◆ CVD过程的数值模拟技术 ◆ CVD薄膜沉积装置
化学气相沉积 化学气相沉积( chemical vapor deposition,CVD)是经由气岙的先驱物, 通过气相原子、分子间的化学反应,生 成薄膜的技术于段
化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）是经由气态的先驱物， 通过气相原子、分子间的化学反应，生 成薄膜的技术手段 化学气相沉积
化学气相沉积 与PVD时不同,CVD过程的气压一般较 高,因为较高的压力有助于提高薄膜的沉积 速率,此时 ◆气体的流动状态处于粘滞流状态 ◆气相分子的运动路径不再是直线 气相分子在衬底上的沉积几率不再是100%, 而是取决于气压、温度、气体组成、气体激 发状态、薄膜表面状态等多个因素 这也决定孓CVD薄膜可被均匀地涂覆在复杂 零件的表面,而较少受到阴影效应的影响
化学气相沉积 与PVD时不同，CVD过程的气压一般较 高， 因为较高的压力有助于提高薄膜的沉积 速率，此时 ◆ 气体的流动状态处于粘滞流状态 ◆ 气相分子的运动路径不再是直线 ◆ 气相分子在衬底上的沉积几率不再是100%， 而是取决于气压、温度、气体组成、气体激 发状态、薄膜表面状态等多个因素 ◆ 这也决定了CVD薄膜可被均匀地涂覆在复杂 零件的表面，而较少受到阴影效应的影响