第六讲 薄膜材料制备的等离子体辅助CVD方法 Preparation of thin films by plasma enhanced CVD process
第六讲 薄膜材料制备的等离子体辅助CVD方法 Preparation of thin films by plasma enhanced CVD process
◆等离子体的一般性质 ◆等离子体辅助CVD的机理和特点 ◆等离子体辅助的CVD方法
提 要 ◆ 等离子体的一般性质 ◆ 等离子体辅助CVD的机理和特点 ◆ 等离子体辅助的CVD方法
等离子体和等离子体中的微观过程 放电击穿后,气体成为具有一定导电能力的等 离子体,它是一种由离子、电子及中性原子和原子 团组成,而宏观上对外呈现电中性的物质存在形式 等离子体中电子碰撞参与的主要微观过程 电子与气体分子的弹性碰撞 XY+e→XY+e (使气体分子的动能增加) 电子与气体分子的非弹性碰撞 ⅩY+e→ⅩY*+e 激发 XY+e→X+Y+e 分解 ⅩY+e→XY++2e 电离 (使气体分子的内能增加)
放电击穿后，气体成为具有一定导电能力的等 离子体，它是一种由离子、电子及中性原子和原子 团组成，而宏观上对外呈现电中性的物质存在形式 等离子体和等离子体中的微观过程 等离子体中电子碰撞参与的主要微观过程 电子与气体分子的弹性碰撞 电子与气体分子的非弹性碰撞 激发 分解 电离 XY+eXY+e （使气体分子的动能增加） XY+eXY*+e XY+eX+Y+e XY+e XY++2e （使气体分子的内能增加）
各种等离子体 高压弧 的电子温度与 任也孤 等离子体密度 热反程雄 群光也 1 火 电子乘 电离恳 PECVD使用的等离 私零 子体多为辉光放电 等离子体 梁际空间 行要空网少
各种等离子体 的电子温度与 等离子体密度 PECVD使用的等离 子体多为辉光放电 等离子体
等离子体的一般性质 典型的辉光放电等离子体中: 等离子体密度~1010cm3 ■等离子体中电子的温度Te~2eV=23000K 离子及中性原子处于低能态,如300~500K ■但,等离子体中存在着大量的活性基团 离子、激发态的分子和原子、自由基
◼ 等离子体密度 1010/cm3 ◼ 等离子体中电子的温度Te 2 eV = 23000K ◼ 离子及中性原子处于低能态，如 300500K ◼ 但，等离子体中存在着大量的活性基团： 离子、激发态的分子和原子、自由基 等离子体的一般性质 典型的辉光放电等离子体中：