Si与各种材料的键合技术 在对Si进行体加工时,有时需要将Si与各种材料 键合、封接在一起。Si与各种材料的键合技术包括: 粘合剂 利用粘合剂可实现材料间的相互结合 借助合金化层的钎焊—利用在Si表面沉积活性金属 薄膜(如I,Au等),并以其作为过渡层,可以将Si片与 其他材料钎焊在一起 Si片与Si片间的熔融键合—Si之间,可以在表面足 够平整的情况下,加热至1000°C的高温下使界面发生 下述反应,达到将S的氧化表面键合在一起的目的 Si-O-H +H-O-Si Si-O-Si + HO Si与玻璃的阳极键合——(见后页)
Si与各种材料的键合技术 在对Si进行体加工时,有时需要将Si与各种材料 键合、封接在一起。Si与各种材料的键合技术包括: ◼ 粘合剂粘合——利用粘合剂可实现材料间的相互结合 ◼ 借助合金化层的钎焊——利用在Si表面沉积活性金属 薄膜(如Ti,Au等)，并以其作为过渡层，可以将Si片与 其他材料钎焊在一起 ◼ Si片与Si片间的熔融键合——Si片之间，可以在表面足 够平整的情况下，加热至1000C的高温下使界面发生 下述反应，达到将Si的氧化表面键合在一起的目的： Si-O-H + H-O-Si Si-O-Si + H2O ◼ Si与玻璃的阳极键合——（见后页）
Si-玻璃间的键合过程 Cande N4是 Dendrin Hit Na ■Si与玻璃的阳极键合 将Si与玻璃叠在一起,加热 至300-4009C,同时在玻璃与Si片间施加1000V的高电压 。玻璃中的Na向阴极迁移,使玻璃Si界面处以静电力 吸引、键合到一起。在此过程中,Si处于阳极位置,因 而这一过程被称为阳极键
Si-玻璃间的键合过程 ◼ Si与玻璃的阳极键合 —— 将Si与玻璃叠在一起，加热 至300-400C，同时在玻璃与Si片间施加1000V的高电压 。玻璃中的Na+向阴极迁移，使玻璃-Si界面处以静电力 吸引、键合到一起。在此过程中，Si处于阳极位置，因 而这一过程被称为阳极键合
S(110上侵蚀出的微冷却孔道和其键合 wa H 由各向异性刻蚀在Si(10)表面形成冷却孔道,然后与其他材料键合
Si(110)上侵蚀出的微冷却孔道和其键合 由各向异性刻蚀在Si(110)表面形成冷却孔道, 然后与其他材料键合