第八讲 薄膜材料的图形化 Patterning of thin films
第八讲 薄膜材料的图形化 Patterning of thin films
◆薄膜图形化的光刻技术 ◆光刻使用的等离子体刻蚀技术 ◆等离子体刻蚀机制 ◆未来的纳米光刻技术
提 要 ◆ 薄膜图形化的光刻技术 ◆ 光刻使用的等离子体刻蚀技术 ◆ 等离子体刻蚀机制 ◆ 未来的纳米光刻技术
薄膜沉积与其刻蚀技术 ■有时,并不满足于使用简单形态的薄膜,而需要 对薄膜进行有目的的加工,形成特定的图形 ■对材料的表层(薄膜)进行显微加工,即它的图 形化,需要使用表面刻蚀技术 对应于制备薄膜材料的CVD、PVD技术,则有 化学的、物理的表面刻蚀方法;在某种意义上, 刻蚀过程是薄膜沉积过程的逆过程 ■半导体工业的高速发展是表面刻蚀技术的主要推 动力,它应用的是光刻的方法
◼ 有时，并不满足于使用简单形态的薄膜，而需要 对薄膜进行有目的的加工，形成特定的图形 ◼ 对材料的表层（薄膜）进行显微加工，即它的图 形化，需要使用表面刻蚀技术 ◼ 对应于制备薄膜材料的CVD、 PVD技术，则有 化学的、物理的表面刻蚀方法；在某种意义上， 刻蚀过程是薄膜沉积过程的逆过程 ◼ 半导体工业的高速发展是表面刻蚀技术的主要推 动力，它应用的是光刻的方法 薄膜沉积与其刻蚀技术
八层布线的集成电路的断面形貌 Cu 八层Cu导线(灰色)、其间由硬质碳形成的绝缘层(白色)以及 其下所连接的0.13μm线宽的CMOS器件。这都需要薄膜 制备技术,也需要薄膜的图形化技术
八层布线的集成电路的断面形貌 八层Cu导线(灰色)、其间由硬质碳形成的绝缘层(白色)以及 其下所连接的0.13m线宽的CMOS器件。这都需要薄膜 制备技术，也需要薄膜的图形化技术 Cu C CMOS
以光刻技术在薄膜表面获得图形 Sio Substrare 若要在Si件表面制备如图所示的SO2图形,就需 要求助于光刻技术
以光刻技术在薄膜表面获得图形 若要在Si器件表面制备如图所示的SiO2图形，就需 要求助于光刻技术 Si