第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 二、PN结的形成及其特性 扩散→复合→空间电荷区→内电场→阻止扩散 L少少子漂移 漂移=扩散→动态平衡→PN结形成 P区 N区 P区 空间电荷区 N区 ⊕ ⊕ o ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ E 单击导脑
二、PN结的形成及其特性 扩散→复合→空间电荷区 →内电场→阻止扩散 少子漂移 漂移=扩散→动态平衡→PN结形成
第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 PN结的单向导电性： 加正向电压（正向偏置)：E0与E:的方向相反 →空间电荷区变窄→扩散电流变大→PN结导通 加反向偏置：空间电荷区变宽→PN结截止 P区 空间电荷区 N区 P区 空间电荷区 N区 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ Θ ⊕ ⊕ ⊙( ⊕ ⊕ ⊕ E E 单击导脑
加正向电压（正向偏置）： E0与Ei的方向相反 →空间电荷区变窄 →扩散电流变大→PN结导通 加反向偏置：空间电荷区变宽 → PN结截止 PN结的单向导电性：
第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 PN结的单向导电性： *PN结正向偏置 内电场被削弱，多子的扩散加强能够 形成较大的扩散电流。 米 PN结反向偏置 内电场被加强，多子的扩散受抑制。 少子漂移加强，但少子数量有限，只 能形成较小的反向电流。 单击导赢
内电场被削弱，多子的扩散加强能够 形成较大的扩散电流。 * PN 结正向偏置 * PN 结反向偏置 内电场被加强，多子的扩散受抑制。 少子漂移加强，但少子数量有限，只 能形成较小的反向电流。 PN结的单向导电性：
第二章 放大器的基本原理 好 医学电子学基础 三、晶体二极管及其特性 PN结 晶体二极管→PN结两端引出电极 N P区出的电极是二极管的正极 N区引出的电极是二极管的负极 Si02保护层 阳极引线 阳极引线 PN结 P型硅 P型触丝N型锗片 N型硅 引线 底座 N型硅 阴极引线 阴极引线 单击导参 点接触型 面接触型 平面型
三、晶体二极管及其特性 N区引出的电极是二极管的负极 晶体二极管 PN结两端引出电极 P区引出的电极是二极管的正极
第二章 放大器的基本原理 医学电子学基础 二极管的特性： ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； 二极管的伏安特性与温度有关。 死区电压Um:一般 硅管为0.5V、锗管 二极管的伏 安特性曲线 略小于0.2V。 正常工作管压降： 0 U 硅管通常为0.7V、 锗管0.20.3V。 单击导核
二极管的特性： 死区电压Uon：一般 硅管为0.5V、锗管 略小于0.2V。 正常工作管压降： 硅管通常为0.7V、 锗管0.2—0.3V。 二极管的伏 安特性曲线 ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关