第3章场效应管及其放大电路 合 3.2.1N沟道增强型MOS场效应管 1.结构 P衬底杂质浓度较低， SiO 引出电极用B表示。 N N+两个区杂质浓度很高， 分别引出源极s和漏极d。 P型衬底 栅极g与其他电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接
第3章 场效应管及其放大电路 1. 结构 P型衬底 N+ N+ B s g d SiO2 铝 P衬底杂质浓度较低, 引出电极用B表示。 N +两个区杂质浓度很高， 分别引出源极s和漏极d。 栅极g与其他电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 s g d B 3.2.1 N沟道增强型MOS场效应管
第3章场效应管及其放大电路 2.工作原理 导电沟道的形成 假设uDs=0,同时uGs>0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大4Gs,则耗尽层变宽。 N型沟道 当Wcs增大到一定值时， P型衬底 形成一个N型导电沟道，又称之 为反型层。 B 开启电压，用ucs表示 lGs>Ucsh时， 导电沟道随ucs增大而增宽。 形成导电沟道
第3章 场效应管及其放大电路 P型衬底 N+ s g d B N + 开启电压，用uGS(th)表示 2. 工作原理 当uGS 增大到一定值时， 形成一个N型导电沟道,又称之 为反型层。 N型沟道 uGS > UGS(th)时, 形成导电沟道 导电沟道的形成 uGS 假设uDS = 0 ，同时uGS > 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大uGS ，则耗尽层变宽。 导电沟道随uGS 增大而增宽
第3章场效应管及其放大电路 4Ds对导电沟道的影响 ip ucs为某一个大于Ucs的固 定值，在漏极和源极之间加正 电压，且ups<uGs-Ucs N型沟道 即uGD=lcs-ups>Ucs(th 则有电流，产生，使导电沟道发 P型衬底 生变化。 B 当uDs增大到4ps=uGs-UGs 即uGD=lGs-ups=Ucs时， 4Ds对导电沟道的 影响 沟道被预夹断，io饱和
第3章 场效应管及其放大电路 uDS对导电沟道的影响 uGS为某一个大于UGS(th)的固 定值，在漏极和源极之间加正 电压，且uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生，使导电沟道发 生变化。 iD 当uDS增大到uDS =uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS = UGS(th)时， 沟道被预夹断，iD 饱和。 P型衬底 N+ N+ s g d B uGS N型沟道 uDS uDS对导电沟道的 影响