第3章场效应管及其放大电路 中●●●●。●金●●●。●州 2.漏源电压对D的影响 is=ip g g DD VGG is UGS=0,UGD>UGS(om) UGS<0,UGDUGS(of) 沟道较宽，n较大。 沟道变窄，in较小
第3章 场效应管及其放大电路 沟道较宽，iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0，uGD> UGS(off) uGS < 0，uGD>UGS(off) 2. 漏源电压对iD 的影响 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄，iD 较小
第3章场效应管及其放大电路 合 。中标。”会。想。中中一中 D DD GG lis UGs<0,UGD=UGS(of)' uGs≤UGS(o，lGD<UGs(of)' ,更小，导电沟道预夹断。 in≈0，导电沟道夹断
第3章 场效应管及其放大电路 N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD uGS < 0，uGD= UGS(off)， uGS ≤ UGS(off) ，uGD < UGS(off)， iD更小，导电沟道预夹断。 iD ≈ 0， 导电沟道夹断
第3章场效应管及其放大电路 3.1.3结型场效应管的特性曲线 预夹断轨迹 lups-uGSH IUGS(om 1.输出特性 ip/mA 可变 UGS=0 iof(uDs） uGS-常数 Ipss 电阻区 可变电阻区： -2 :击穿区 i与us基本上呈线性关系， 恒流区 -4 但不同的ucs其斜率不同。 -6 恒流区：又称饱和区， -8 iD几乎与ups无关，io的值 s(oml 受ucs控制。 8V 夹断电压 uDs N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿，D电流突然增大
第3章 场效应管及其放大电路 1. 输出特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)| 8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uDS-uGS|= |UGS(off)| 可变电阻区： iD 与uDS 基本上呈线性关系， 但不同的uGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关，iD 的值 受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿，iD 电流突然增大。 夹断电压 3.1.3 结型场效应管的特性曲线
第3章场效应管及其放大电路 中”。”金。想。中中中 2.转移特性 ib=f(uGs)luns=常数 ip/mA DD Ipss 饱和漏极电流 场效应管特性曲线测试电路 UGs(of) uGs/V 栅源间加反向电压ucs<0 N沟道结型场效应管转 移特性 利用场效应管输入电阻高的优点。 iD=Ipss(1- UGs (当Up≤UGs≤0时)
第3章 场效应管及其放大电路 2. 转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 GS 2 D DSS GS(off) = − (1 ) u i I U (当UP UGS 0时） g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转 移特性 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS < 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O
第3章场效应管及其放大电路 中。w。●e金●。e。w●由●。中 3.2绝缘栅型场效应管 3.2.1N沟道增强型MOS场效应管 3.2.2N沟道耗尽型MOS场效应管
第3章 场效应管及其放大电路 3.2.1 N沟道增强型MOS场效应管 3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管