原子弛豫 ▣ 表面区原子位置也会发生弛豫 ▣ 如在NaCI晶体中，半径较大的C形成面心 立方密堆积，而半径较小的Na+分布在八面 体的空隙中。由于C之间的排斥作用，表面 的C被推向体外，而Na+则被拉向体内，形 成表面偶极层。 ▣在许多金属氧化物中，也都存在双电层 口这对其吸附、润湿、腐蚀和烧结都有影响
原子弛豫 表面区原子位置也会发生弛豫 如在NaCl晶体中，半径较大的Cl-形成面心 立方密堆积，而半径较小的Na+分布在八面 体的空隙中。由于Cl-之间的排斥作用，表面 的Cl-被推向体外，而Na+则被拉向体内，形 成表面偶极层。 在许多金属氧化物中，也都存在双电层 这对其吸附、润湿、腐蚀和烧结都有影响
2、清洁表面 口定义：不存在任何吸附、催化反应、杂质扩 散等物理化学效应的表面。 经特殊处理，保持1010~10-Pa的超高真空下 的状态：弛豫、重构、偏析 (111) (110) (100) fcc品体不同晶面
2、清洁表面 定义：不存在任何吸附、催化反应、杂质扩 散等物理化学效应的表面。 经特殊处理，保持10-10~10-9Pa的超高真空下 的状态：弛豫、重构、偏析
▣清洁表面的获得 During treatment Final >解离 脆性材料(ZnO、 NaCl、Si Cleavage GaAs >加热 b Heating 金属 Q >化学处理 于反应性气体中加热 Chemical processing (去除W表面的C) >离子溅射+退火 lon sputtening
➢ 离子溅射+退火 清洁表面的获得 ➢ 解离 脆性材料（ZnO、 NaCl、Si、 GaAs） ➢ 加热 金属 ➢ 化学处理 于反应性气体中加热 （去除W表面的C）
2.1、弛豫 定义：表面区原子或离子间的距离偏离体内 的晶格常数，但晶胞结构基本不变。 12 do d34 理想表面 弛豫
2.1、弛豫 定义：表面区原子或离子间的距离偏离体内 的晶格常数，但晶胞结构基本不变。 a0 d0 a0 理想表面 弛豫
0.020nm C:库伦排斥力 Na+: 吸引力 NaCl 晶体 口表面5层的离子 重新排布 (100) >表面电矩 晶面 >表面能下降 0.281nm 0.266nm
➢表面能下降 Cl-：库伦排斥力 Na+：吸引力 表面5层的离子 重新排布 NaCl 晶体 (100) 晶面 ➢表面电矩 0.281nm 0.266nm 0.020nm