Ⅲ族化合物半导体 GaAs 1 eV 036eV Eg=1.52ev 035eV k=(12,12,l/2)k=(0k=(100 GaAs
❖III-V族化合物半导体 GaAs 1.43 eV
GaAs能带结构与Si、Ge能带结构 相比,特点如下 1.GaAs的导带极小值与价带极大值都在K=0,这 种能带结构叫做直接跃迁型;而Si、Ge的极大和 极小值所在的K值不同,这种能带结构叫做间接跃 迁型。 2.GaAs在<100>方向上具有双能谷能带结构,即 除k=0处有极小值外,在<100>方向边缘上存在 另一个导带极小值,比中心极小值仅高0.36eV。因 此电子具有主次两个能谷。 3.GaAs的最高工作温度450°硅:250°C锗:100°
GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构 相比，特点如下： ❖ 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这 种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和 极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃 迁型。 ❖ 2. GaAs 在<100>方向上具有双能谷能带结构，即 除k＝0处有极小值外，在<100>方向边缘上存在 另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因 此电子具有主次两个能谷。 ❖ 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃ 锗:100℃
2.GaP的能带结构 GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射 复合中心使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化 发光效率会提高
❖ GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射 复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化, 发光效率会提高. 2.GaP的能带结构
在半导体中,电子和空穴可以是自由运动的,也 可以是被束缚的。 电子由价带激发到导带,就形成自由的电子和空穴 电子由价带激发到导带下面的一个激发态而未到达 导带的时候,电子将被束缚在空穴的库仑场中,又 不与空穴复合而形成激子。 激子:电子与空穴间的库伦引力使两者处于束缚状 态,这种被束缚的电子空穴对就叫激子
❖ 在半导体中，电子和空穴可以是自由运动的，也 可以是被束缚的。 ❖ 电子由价带激发到导带，就形成自由的电子和空穴 ❖ 电子由价带激发到导带下面的一个激发态而未到达 导带的时候，电子将被束缚在空穴的库仑场中，又 不与空穴复合而形成激子。 ❖ 激子：电子与空穴间的库伦引力使两者处于束缚状 态，这种被束缚的电子空穴对就叫激子