2.逻辑门电路 2.1二极管的开关特性 2.2BJ的开关特性 2.3基本逻辑门电路 2.4TL逻辑门电路 2.5射极耦合逻辑门电路 2.6CMOS逻辑门电路 2.7NMOS逻辑门电路 2.8正负逻辑问题(自学) 2.9逻辑门电路使用中的几个实际问题
2. 逻辑门电路 2.1 二极管的开关特性 2.2 BJT的开关特性 2.3 基本逻辑门电路 2.4 TTL逻辑门电路 2.6 CMOS逻辑门电路 2.7 NMOS逻辑门电路 2.8正负逻辑问题（自学） 2.9 逻辑门电路使用中的几个实际问题 2.5 射极耦合逻辑门电路
2.1二极管的开关特性 1.二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 R R L R 0.1 Rt R=VR/RI
2.1 二极管的开关特性 1.二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 L F L F D F R V R V V I − = R VR RL I =
2产生反向恢复过程的原因一一电荷存储效应 二极管上外加正向电压 R区势垒区N区 P区中 N区中 电子浓度分布 空穴浓度分布 电子 空穴
2.产生反向恢复过程的原因――电荷存储效应 二极管上外加正向电压
P区 N区 突然外加反向电压 (1)在反向电场的作用下,P区的电子被拉回到N区 N区的空穴被拉回P区 (2)与异性的载流子复合 R ts时间内 R R L t时间内R下降,二极管逐渐截止 t,存在的原因由于电荷存储效应
突然外加反向电压 (1)在反向电场的作用下，P区的电子被拉回到N区。 N区的空穴被拉回P区 (2)与异性的载流子复合 s t 时间内 L R D R R V V I + = t t 时间内 I R 下降，二极管逐渐截止 re t 存在的原因 由于电荷存储效应
3.影响t。的因素 (1)与二极管的结构有关,结面积大的二极管,t也长 (2)与外加的信号有关: 正向电压大,正向电流就大,存储的电荷就多,t,就长 反向电压大,存储电荷消失的就快,te就短 4.二极管的开通时间 开通时间:二极管从截止转为正向导通所需的时间 很短对开关速度的影响很小忽略不计
3. 影响 t re 的因素 (1)与二极管的结构有关，结面积大的二极管， t re 也长 (2)与外加的信号有关： 正向电压大，正向电流就大，存储的电荷就多， t re 就长 反向电压大，存储电荷消失的就快， t re 就短。 4. 二极管的开通时间 开通时间：二极管从截止转为正向导通所需的时间 很短 对开关速度的影响很小 忽略不计