Bx、×横向:R=m0/qB B个.R」 × O、R 在强磁场中可以将离子约束在小范围。 × × 」脱离器壁。 纵向:非均匀磁场。 轴 F BB↑,n,h→>0反射一磁镜 三0 磁瓶:离子在两磁镜间振荡
v F B o R B ,R 横向： 在强磁场中可以将离子约束在小范围。 脱离器壁。 R = mv0 qB v R B Fm f轴 f向 B , h , h →0 纵向：非均匀磁场。 反射— 磁镜 磁瓶：离子在两磁镜间振荡。 I I I
例题:P,31110.15已知:E=Ei,B=-Bk m1·+qW=vi B P B=9 7 在P点恰不与板相碰 求:P点轨道曲率半径r m, go 解:定性分析q在电磁场中的运动: q在任意位置Q受力如图 由对称性原理:轨道为平面曲线。 恰不与板相碰:∥板
例题： P.311 10.15 y z x o 0 v m,q Q d Fm P v Fe n B A P 已知： E E i = ,B Bk = − m . + q v v i 0 = 0 m q = 在 P 点恰不与板相碰 求： P 点轨道曲率半径 P r 解：定性分析 q 在电磁场中的运动： 由对称性原理： 轨道为平面曲线。 恰不与板相碰：vP // 板。 q 在任意位置 Q 受力如图
q在位置P受力如图 B FP点法向方程 qVp-ge B m,g vo 过程能量方程 gEd=o mvp -mvo (2) 由(1)(2)得: m(vo+2 ed) v6+ BEd q(B129+2-E)B(B12/E+-E)
q 在位置 P 受力如图 P 点法向方程: P P P r v Bqv qE m 2 − = (1) 2 0 2 2 1 2 1 qEd mv mv 过程能量方程 = P − : (2) ( 2 ) ( 2 ) 2 0 2 0 Ed v E m q q B Ed m q m v rP + − + = 由 (1) (2) 得： ( 2 ) 2 2 0 2 0 B Ed v E v Ed + − + = y z x o 0 v m,q Q d Fm Fe Fm P v Fe n B A P
3.霍耳效应 (1)现象:导体中通电流,磁 场垂直于I,在既垂直于, 又垂直于B方向出现电势差 △U。 (2)用电子论解释 B 载流子q=-e,漂移速率ν 4×B e×B 小 方向向上,形成4U
3. 霍耳效应 (2) 用电子论解释 载流子q = -e，漂移速率 Fm qv B ev B = = − 方向向上，形成U v B v Fe Fm − q − − − − − − − +++++++++++++++ I l v (1) 现象：导体中通电流I，磁 场 垂直于I，在既垂直于I， 又垂直于 方向出现电势差 U。 B B