辅助阅读材料 第四章光波的调制 半导体激光器的发射波长随结区温度而变化。当温度升高时，半导体材料的 禁带宽度变窄，因而激光器发射光谱的峰值波长向长波长方向漂移，图4.22给 出了一个InGaAsP/InP激光器的发射波长随注入电流漂移的情况，该激光器没有 加温度控制，由于电流的热效应，使温度升高，从而使发射波长发生漂移。 23.51 280 g4 人人人 1.2901.2971.3001.30w40 图4.22 InGaAsP/InP激光器光谱随注入电流的漂移 3.动态谱写展宽 激光器进行直接强度调制会使发射谱线增宽，振荡模数增加。这是因为对激 光器进行脉冲调制时，注入电流不断地变化，结果使有源区里载流子浓度随之变 化，进而导致折射率随之变化，激光器的谐振频率发生漂移，动态谱线展宽。调 制速率越高，调制电流越大，谱线展宽的也越多。图4.23给出了一个 GaAlAs/GaAs激光器发射光谱岁调制电流变化的情况，该激光器在注入电流为直 流时基本上是单纵模振荡，但用300Mbi5的1000110001111100数据进行调制 时，变成多纵模振荡，且随调制电流的增加模数增加，谱线明显展宽。 半导体激光器动态谱线的增宽对高速率单程光纤通信是非常不利的。在速率 为几个吉比特每秒量级的单模光纤传输系统中，光纤的材料色散会影响系统的中 继距离。因此，各种动态单模激光器已得到迅速的发展，其中最引人注目的是分
辅助阅读材料 第四章 光波的调制 半导体激光器的发射波长随结区温度而变化。当温度升高时，半导体材料的 禁带宽度变窄，因而激光器发射光谱的峰值波长向长波长方向漂移，图 4.22 给 出了一个 InGaAsP/InP 激光器的发射波长随注入电流漂移的情况，该激光器没有 加温度控制，由于电流的热效应，使温度升高，从而使发射波长发生漂移。 图 4.22 InGaAsP/InP 激光器光谱随注入电流的漂移 3. 动态谱写展宽 激光器进行直接强度调制会使发射谱线增宽，振荡模数增加。这是因为对激 光器进行脉冲调制时，注入电流不断地变化，结果使有源区里载流子浓度随之变 化，进而导致折射率随之变化，激光器的谐振频率发生漂移，动态谱线展宽。调 制速率越高，调制电流越大，谱线展宽的也越多。图 4.23 给出了一个 GaAlAs/GaAs 激光器发射光谱岁调制电流变化的情况，该激光器在注入电流为直 流时基本上是单纵模振荡，但用 300Mbit/s 的 1000110001111100 数据进行调制 时，变成多纵模振荡，且随调制电流的增加模数增加，谱线明显展宽。 半导体激光器动态谱线的增宽对高速率单程光纤通信是非常不利的。在速率 为几个吉比特每秒量级的单模光纤传输系统中，光纤的材料色散会影响系统的中 继距离。因此，各种动态单模激光器已得到迅速的发展，其中最引人注目的是分 16
辅助阅读材料 第四章光波的调制 布反馈(DFB)激光器、分布布喇格反射(DBR)激光器、解理耦合腔(C)和外腔激 光器等。 I(mA) 40 790800 801802 图4.23 GaAlAs激光器光谱随调制电流的变化 4.3.4半导体激光器调制特性的实验研究 1.阙值特性 (1)1550nmFP半导体激光器 设置1550nmFP-LD为直流驱动工作模式，驱动电流(lc置为O),缓慢增加激 光器驱动电流，0至40mA每隔0.5mA记录输出光功率数值，利用数据作P~l 曲线。测量数据如下表。 表421550nmFp.LDP~I数据
辅助阅读材料 第四章 光波的调制 布反馈(DFB)激光器、分布布喇格反射(DBR)激光器、解理耦合腔(C3 )和外腔激 光器等。 图 4.23 GaAlAs 激光器光谱随调制电流的变化 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 1.阈值特性 （1）1550nm FP 半导体激光器 设置 1550nmFP-LD 为直流驱动工作模式，驱动电流(Ic 置为 0)，缓慢增加激 光器驱动电流，0 至 40mA 每隔 0.5mA 记录输出光功率数值，利用数据作 P～I 曲线。测量数据如下表。 表 4.2 1550nm FP-LD P～I 数据 17