、 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的结构与符号 2n7000 G 1. Source 2 Gate 3. Drain L gate gate oxid D p substrate N沟道增强型 MOSFET 清华大学电路原理教学组
清华大学电路原理教学组 D S G D S G 2n7000 一、MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)的结构与符号 N沟道增强型MOSFET
、 MOSFET的电气性质 MOSFE D G +1s ① 0.5 0.4 转移特性曲线 Uns=5V 0.3 DS Ucs<Ur时, MOSFET截止 0.2 Ucs>UT后, MOSFET的D、S间导通。 01截止区(A) 改变UD的大小对曲线影响不大 067 3.333 清华大学电路原理教学组
清华大学电路原理教学组 D S G UGS ＋ － MOSFE T UDS ＋ － IDS UDS=5V IDS UGS 截止区(A) UT UGS UT 时，MOSFET截止 改变UDS的大小对曲线影响不大 UGS>UT后，MOSFET的D、S间导通。 转移特性曲线 二、MOSFET的电气性质
MOSFET 0.5 输出特性曲线 0.4 DS0.3 Un恒流区Ur<Us<Ur+U DS 0.2 三极管区/ 0.1 可变电阻区 Uc>U+U 1.667 3.333 U 清华大学电路原理教学组
清华大学电路原理教学组 D S G UGS ＋ － MOSFET UDS ＋ － IDS IDS UDS UGS=5V UGS=4V UGS=3V 三极管区/ 可变电阻区 饱和区/ 恒流区 UT UG S UT +UDS UGS UT +UDS 输出特性曲线
mosfet的特性 DS MOSFET D DS 饱和区/ +'|S 恒流区(B nBo三极管区/ 可变电阻区(C) Ucs=5V >导通后Ues<U1+UD的时候, MOSFET的D、S间呈电流源 特性。Ucs与Ls呈二次方关系 KU GS DS 2 >导通后Ucs>Ux+UDs的时候, MOSFET的D、S间呈电阻特性。 清华大学电路原理教学组
清华大学电路原理教学组 ( ) 2 2 G S T DS K U U I − = ➢ 导通后UGS<UT+UDS的时候，MOSFET的D、S间呈电流源 特性。 UGS与IDS呈二次方关系： D S G UGS ＋ － MOSFET UDS ＋ － IDS UGS UT IDS UGS=5V UDS 三极管区/ 可变电阻区(C) 饱和区/ 恒流区(B) RON ➢ 导通后UGS>UT+UDS的时候，MOSFET的D、S间呈电阻特性
三、 MOSFET的等效电路 DS G DS U U 条件:Ucs<Ur ( UGs -UT 截止区 DS 性质: 0 Q U DS 不b+ 条件 < GS <Uc +U DS 2饱和区 性质 KUGS -UT) R 2 DS 3三极管A条件 性质:Ro
UGS UT I DS = 0 1 截止区 条件： 性质： 3 三极管区 条件： 性质： UGS UDS + UT RON UT UG S UDS + UT 2 饱和区 条件： 性质： ( ) 2 2 G S T DS K U U I − = DS GUGS ＋－ UDS ＋－ IDS ＋－US UGS ＋－ UDS ＋－ IDS ＋－US UGS ＋－ UDS ＋－ IDS ＋－US ( ) 2 2 GS T DS K U U I − = UGS ＋－ UDS ＋－ IDS ＋－US RON 三、MOSFET的等效电路