中国科学技术大学：《微波技术基础》课程教学资源（课件讲稿）第四章 微波集成传输线 Microwave Integrated Transmission Lines

0$4.1.2带状线的损耗增量电感法则（续5）2）1良导体的表面阻抗导体内沿X方向传播的均勺平面波场强关系为：d = /2/oμoE, =nH,OuU波阻抗20波阻抗是单位面积上的阻抗，即Q/m2，又称为表面阻抗率，用Z，表示。ou查,=n=R,+jX,=(1+j)20Vou/2gR=X.--oudL0-RJ-Js=nxHds12216

1 2 1 2 R X d d s s         16 2）良导体的表面阻抗 导体内沿x方向传播的均匀平面波场强关系为： E H    (1 ) 2 1 c j j j                        波阻抗 波阻抗是单位面积上的阻抗，即/m2 ，又称为表面阻抗率，用Zs表示。 (1 ) 2 Z R jX j s s s   令       S J n H    1 1 2 2 2 2 L S S S S S P R J dS R H dS      d  2  §4.1.2 带状线的损耗_增量电感法则（续5）

1958$4.1.2带状线的损耗增量电感法则（续6）2)良导体的表面阻抗1、只要导体表面的曲率半径远大于趋肤深度d，以上结果可以推广到任意截面形状的导体中（平面导体厚度只要大于2d，有2%以内的精度）。2、内电感L：L由导体外的磁场渗透到导体内引起的，因此是导体内的电感d = /2/wμoX,=oLs =ou/2g:oudL, = μd/22内电感L，在导体内存在的深度为d/2，即形成内电感L，的平均深度是d/23、从数值上可见：R、=X、=のLs=のud/217

17 2）良导体的表面阻抗 1、只要导体表面的曲率半径远大于趋肤深度d，以上结果可以推广 到任意截面形状的导体中（平面导体厚度只要大于2d，有2%以 内的精度）。 2、内电感Ls：Ls由导体外的磁场 渗透到导体内引起的，因此是导体 内的电感 内电感Ls在导体内存在的深度为d/2，即形成内电感 Ls的平 均深度是 d/2 3、从数值上可见： 2 L d s   / 2 R X L d s s      S 1 2 2 X L d s        S d  2  §4.1.2 带状线的损耗_增量电感法则（续6）