195S4.1带状线结构:双接地板,中间层导体,内部均匀介质填充。工作模式:可传输TEM波(工作模式,即主模),也可存在高次型TE或TM模。对其TEM波特性,通过静态分析方法,例如保角变换等就可以获得带状线电路设计的全部数据。(无辐射)等优点,特点:具有宽频带、高Q值(损耗较小)、高隔离但不便外接固态微波器件,因而不宜制作有源微波电路4接地板-W.+0.441b-6
6 §4.1 带状线 结构:双接地板,中间层导体,内部均匀介质填充。 工作模式:可传输TEM波(工作模式,即主模),也可存在高次型TE 或TM模。对其TEM波特性,通过静态分析方法,例如保角 变换等就可以获得带状线电路设计的全部数据。 特点:具有宽频带、高Q值(损耗较小)、高隔离(无辐射)等优点, 但不便外接固态微波器件,因而不宜制作有源微波电路
1958$4.1.1带状线的特性阻抗(续1)相位波长/导波长:空气填充:1g=20元=/8,8。为带状线的有效介电常数介质填充:1g=0/ Je近似:V, = U= 1/ /088, = c/ JE, ,相速度:又: vp=1/ JLC特性阻抗:Z。= /L. /C/ =V,L =1/v,C特性阻抗的计算可归结为单位长分布参数电容C的求解
7 §4.1.1 带状线的特性阻抗(续1) 相位波长/导波长: 空气填充: 介质填充: , 为带状线的有效介电常数 近似: g 0 g 0 r g 0 e e 相速度: 0 0 1 1 1 1 p r r p c L C , 又: 特性阻抗: 特性阻抗的计算可归结为单位长分布参数电容C1的求解。 0 1 1 1 1 1 Z L C L C p p
Pas$4.1.1带状线的特性阻抗(续2)1、带状线特性阻抗的分析由结构参数求特性阻抗零厚度((t-0)导体带带状线Z.的精确解由保角变换法求得:K(k')Zo e,=30元K(k)ak0≤k≤0.7元K(k)应用左式求解要计算椭圆函数K(k)+k比较复杂,因而很少采用0.7≤k≤1VkK(k)为第一类全椭圆积分函数,K(k)为第一类余椭圆积分函数k = th(πW/2b), k'= /1- k2LO
8 b W t r a 1、带状线特性阻抗的分析 零厚度(t=0)导体带带状线Z0的精确解, 由保角变换法求得: 0 ( ) 30 ( ) r K k Z K k 2 k th k k W b2 1 , K(k)为第一类全椭圆积分函数,K(k' )为第一类余椭圆积分函数 应用左式求解要计算椭圆函数, 比较复杂,因而很少采用。 1 1 1 1 ln 2 0 0.7 1 ( ) ( ) 1 1 ln 2 0.7 1 1 k k K k k K k k k k ——由结构参数求特性阻抗 §4.1.1 带状线的特性阻抗(续2)
1958$4.1.1带状线的特性阻抗(续3)有限厚度导体带带状线Z.的近似解,由保角变换法求得4 b-t8 b-t8 b-t+6.27ZoVs, =30ln/1 +WWW元元1W'WAW其中b-tb-tb-tAW0.0796xxb-tW /b+1.1x元(1-x)m=2b31-x上述公式在W/b-t)<10范围,精度可达0.5%。03
9 有限厚度导体带带状线Z0的近似解,由保角变换法求得: 2 0 4 8 8 30ln 1 6.27 r b t b t b t Z W W W W W W b t b t b t 2 1 0.0796 1 ln (1 ) 2 2 1.1 m W x x x b t x x W b x 2 2 1 3 1 x m x t x b 上述公式在 W b t ( ) 10 范围,精度可达0.5%。 其中 §4.1.1 带状线的特性阻抗(续3)
1958$4.1.1带状线的特性阻抗(续4)2、带状线特性阻抗的综合由特性阻抗求结构参数2W11+ s零厚度带状线乙.的综合闭式为:-arth(s) =ln-b元1-s元A≥元ZoJe,其中A=S=300≤A≤元1+2WWoAW有限厚度带状线乙.的综合闭式为bbbleA+0.5688(1- x)W。其中be4-1元10
10 零厚度带状线Z0的综合闭式为: 有限厚度带状线Z0的综合闭式为: 2 1 1 ( ) ln 1 W s arth s b s 2 2 4 2 0 2 1 2 30 2 0 2 A A r A A e A e Z s A e A e W W W 0 b b b 0 8(1 ) 0.568 1 A A W x e b e 其中 其中 2、带状线特性阻抗的综合——由特性阻抗求结构参数 §4.1.1 带状线的特性阻抗(续4)