特点 a.自由电子为多数载流子(多子) 空穴为少数载流子 (少子); b磷原子被称为施主杂质,本身因 失去电子而成为正离子。 N型半导体可简化成 ( 图2-3 模型电子技市
特点 a. 自由电子为多数载流子（多子） 空穴为少数载流子 （少子）； b. 磷原子被称为施主杂质，本身因 失去电子而成为正离子。 N型半导体可简化成 + 图2－3
2.P型半导体 形成 本征掺杂:本征半导体 得到大量空穴 (无电子) 硼 空 本征激发:得到 穴 量电子空穴对 硼原子 子3 图2-4
2. P型半导体 形成 本征掺杂： 本征半导体 得到大量空穴 （无电子） 硼 +4 +4 +3 +4 图2－ 4 硼 原 子 空 本征激发：得到 穴 少量电子空穴对
特点 a.空穴为多数载流子(多子) 自由电子为少数载流子(少子) b硼原子被称为受主杂质,本身因 获得电子而成为负离子。 P型半导体可简化成 图2-5 模型电子技市
特点 a. 空穴为多数载流子 （多子） 自由电子为少数载流子（少子）； b. 硼原子被称为受主杂质，本身因 获得电子而成为负离子。 P型半导体可简化成 － 图2－5
22PN结的形成 PN结的形成 用化学方法把N型半导体和P型半导体结合在 起 P型 N型 ( 图2-6 模型电子技市
§2.2 PN结的形成 一、PN结的形成 用化学方法把N型半导体和P型半导体结合在 一起。 图2－6 – – – – – – – – – P型 + + + + + + + + + N型