模型电子技朮 从从 第三章 半导体三极管及放大电路
第三章 半导体三极管及放大电路
↓531半导体BJT BJT结构 3AX22 3DG6 3AD6 低频锗 高频硅 低频大功率管 图3-1模拟电子技靠
§3.1 半导体BJT 一、BJT结构 图3－1 3AX22 低频锗 3AD6 低频大功率管 3DG6 高频硅
下图是NPN管的结构及符号 集电极 集电区集电结 基极 基区 发射结 发射区 发射极 图3-2 三区两结三极 型电子技宜
图3－2 N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 三区两结三极 下图是NPN管的结构及符号 e b c
PNP管的结构及符号如下: 集电极 集电区集电结 基极 基区 发射区 发射结 发射极 图3-3 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 型子技宜
图3－3 P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 PNP管的结构及符号如下： 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 b e c
二、BJT的电流分配与放大原理 放大的条件: 内部条件:发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件:发射结正偏:; 集电结反偏。 模型电子技成
二、 BJT的电流分配与放大原理 放大的条件： 内部条件：发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件：发射结正偏； 集电结反偏