3.本征半导体中的两种载流子: 自由电子 空穴(价电子挣脱束缚后留下的空位) a.带正电,所带电量与电子相等; b可以“移动”; c.本征半导体中,自由电子和空穴 成对出现,数目相等 模型电子技市
3. 本征半导体中的两种载流子： 自由电子 空穴（价电子挣脱束缚后留下的空位） a. 带正电，所带电量与电子相等； b. 可以“ 移动”； c. 本征半导体中，自由电子和空穴 成对出现，数目相等
4.本征半导体中的载流子浓度 E P;=A·T 2 kT n:自由电子的浓度 p;空穴的浓度 A:系数(与半导体材料有关) 模型电子技市
4. 本征半导体中的载流子浓度 kT EG n p A T e 2 2 3 i i − = = ni：自由电子的浓度 pi：空穴的浓度 A：系数（与半导体材料有关）
T:绝对温度 EG:价电子挣脱共价键所需能量,又叫禁带宽度 K:波尔兹曼常数 结论:半导体材料一定,载流子浓度随温度 按指数规律增大。 模型电子技市
T：绝对温度 EG：价电子挣脱共价键所需能量, 又叫禁带宽度 K：波尔兹曼常数 结论：半导体材料一定，载流子浓度随温度 按指数规律增大
二、杂质半导体 半导体的导电能力取决于载流子的数目, 本征半导体受热激发只产生少量电子空穴对, 载流子浓度很低,外加电场作用,电流极其 微弱;若在本征半导体中掺入微量杂质,则导 电性能大为改观,掺入百万分之一的杂质,载 流子浓度增加1百万倍。 模型电子技市
二、杂质半导体 半导体的导电能力取决于载流子的数目， 本征半导体受热激发只产生少量电子空穴对， 载流子浓度很低，外加电场作用，电流极其 微弱；若在本征半导体中掺入微量杂质，则导 电性能大为改观，掺入百万分之一的杂质，载 流子浓度增加1百万倍
1.N型半导体 形成 本征掺杂:本征半导体 得到大量电子 (无空穴) 磷 多 余 电 本征激发:得到 少量电子空穴对 磷原子 · 图2-2
1. N型半导体 形成 本征掺杂： 本征半导体 得到大量电子 （无空穴） 磷 本征激发：得到 少量电子空穴对 +4 +4 +5 +4 磷 原 子 多 余 电 子 图2－2