GS G 囫DD MAMMa 当VDs>0时,将产生漏极电流i,在导电沟道 B中产生压降,Vo最高,vcD最低 当Ds=VsVm时,VD=Vm,D极端的 沟道厚度为0,沟道预夹断 当 Vs>Vac-V时,VcD=Vm,D极端的沟 道厚度为0,沟道夹断 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第291页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第291页 当VDS>0时，将产生漏极电流iD，在导电沟道 中产生压降，VGS最高，VGD最低 当VDS= VGS—VTH时，VGD= VTH，D极端的 沟道厚度为0，沟道预夹断 当VDS>VGS—VTH时，VGD= VTH，D极端的沟 道厚度为0，沟道夹断 VDS S G D N+ N+ B - + - + VGS iD N+ N+ N+ N+
N沟道增强型MOS管的特性 输出特性:漏极电流(输出电流)i随Vs(输出电压) 的变化关系 vDs=ⅤcsⅤ D GS 十 截止区: m 时,D与S之间还未形成导电沟道,如同断开的开关 °可变电阻区 s>Vm,VDsⅤosVm时,D与S之间形成导电沟道,沟道 未夹断,D与S之间可看作上一个受Ⅴcs控制的可变电阻 °饱和区: os>Vm,Vns> Vcs-V时,沟道预夹断,VDs↑→形成夹断 区,i仅受ve的影响,Vs个→i个,可看作导通的开关 2021/2/23 作者:清华大学电子工程系罗嵘 第292页
2021/2/23 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 第292页 •N沟道增强型MOS管的特性 输出特性：漏极电流（输出电流）iD随VDS（输出电压） 的变化关系 VDS + - VGS - + iD iD VDS VGS VDS =VGS—VTH •截止区： VGS< VTH时，D与S之间还未形成导电沟道，如同断开的开关 •可变电阻区： VGS> VTH， VDS< VGS—VTH时，D与S之间形成导电沟道，沟道 未夹断， D与S之间可看作上一个受VGS控制的可变电阻 •饱和区： VGS> VTH， VDS> VGS—VTH时，沟道预夹断， VDS →形成夹断 区， iD仅受VGS的影响， VGS → iD，可看作导通的开关