§22半导体二极管和三极管的开关特性 221半导体二极管的开关特性 O VCC 1.理想情况下 当v=VH=v时,则D R 截止,v=voH=v。 Y 当v==0时,则导 通,v=vn1=0 二极管的开关电路 (2-11)
（2-11） § 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.2.1 半导体二极管的开关特性 Y D + - VCC R vI + - vo 二极管的开关电路 1. 理想情况下： 当vI=vIH=vcc时，则D 截止， vo=voH=vc ; 当vI=vIL=0时，则导 通， vo=voL=0
2.二极管的实际伏安特性如下图所示 根据理论推导,二极管 的伏安特性曲线可用下式表 i=lse/T-1) 式中为反向饱和电流,V为二极管两端的 电压降,Ⅵ=称为温度的电压当量,k为玻耳 兹曼常数,q为电子电荷量,T为热力学温度。对 于室温(相当7=300K),则有V26mV。 (2-12)
（2-12） v i 0 2. 二极管的实际伏安特性如下图所示 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的 电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳 兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对 于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 i I (e 1) VT v = S − 根据理论推导，二极管 的伏安特性曲线可用下式表 示：
3.二极管伏安特性的实用近似方法 +—斗 ON ⅴo=0.7v(硅管) 02v(锗管) (2-13)
（2-13） 3. 二极管伏安特性的实用近似方法 + VON - + - VON=0.7V( 硅管) VON=0.2V( 锗管) + rd - + -
、半导体三极管: 工作压降:硅管 1三极管的输入特性 kp≈0.6-07V,锗 管UBE≈0.2~0.3V。 B 80 60 Uc≥1V 40 死区电 压,硅管20 05V,锗 UBEOV 管0V 0.40.8 图2.2.6
1.三极管的输入特性 工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。 二、半导体三极管： IB (A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE1V 死区电 压，硅管 0.5V，锗 管0.1V。 图2.2.6
2.三极管的输出特性: IcmA 100LA 432 80μA 60uA 40uA 20uA 0 36912Ucp(V) 图2 2.2.7
2.三极管的输出特性: IC(mA ) 1 2 3 4 UCE 3 6 9 12 (V) IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 图2.2.7