第七章半导体存储器 §71概述 存储器用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类: 根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类: (1)随机存取存储器(RAM)也叫做读/写存储器。既能 方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据。RAM的 缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。 (2)只读存储器(ROM)。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性 (6-1)
（6-1） 第七章 半导体存储器 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能 方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的 缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 §7.1 概述
§72只读存储器(ROM) ROM的分类 按照数据写入方式特点不同,ROM可分为以下几种: (1)固定ROM。厂家把数据写入存储器中,用户无法进行任何修改。 (2)一次性可编程ROM(PROM)。出厂时,存储内容全为1(或全 为0),用户可根据自己的需要编程,但只能编程一次 (3)光可擦除可编程ROM( EPROM)。采用浮栅技术生产的可编程 存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除,可多次编程。 (4)电可擦除可编程ROM(E2PROM)。也是采用浮栅技术生产的可 编程ROM,但是构成其存储单元的是隧道MOS管,是用电擦除,并 且擦除的速度要快的多(一般为毫秒数量级)。E2PROM的电擦除 过程就是改写过程,它具有ROM的非易失性,又具备类似RAM的功 能,可以随时改写(可重复擦写1万次以上)。 (5)快闪存储器( Flash Memory)。也是采用浮栅型MOS管,存储器 中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与 EPROM相同, 一般一只芯片可以擦除/写入100次以上。 (62)
（6-2） （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全 为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 §7.2 只读存储器(ROM) 一． ROM的分类 按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种： （1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 （3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程 存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器 中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同， 一般一只芯片可以擦除/写入100次以上。 （4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可 编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并 且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除 过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功 能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）
ROM的结构及工作原理 编码器 地址数据 WIAAoID3D2D,Do D3=Wi+W3 D1=W1+W,+W3 000101 D,=W+w+w den tw W101|1010 w100111 wJ111110 ∈学 字线 译码器 0 A 译 位线
（6-3） 二．ROM的结构及工作原理 W A1A0 D3 D2 D1 D0 地址 数据 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 W0 W1 W2 W3 2 0 2 3 3 1 3 D W W W D W W = + + = + 0 0 2 1 1 2 3 D W W D W W W = + = + + 译 码 器 A0 A1 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 D3 D2 D1 D0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 译码器 编码器 字线 位线
2可编程ROM(PROM) CO 字线 熔 断 丝 位 线
（6-4） 2.可编程ROM（PROM） 字线 位 线 熔 断 丝 VCC
3可擦除ROM( EPROM、 E2PROM、 Flash Memory) 源极 浮置栅漏极 Sio P+OO000Oo O (65)
（6-5） 3.可擦除ROM（EPROM、E2PROM、Flash Memory ） P+ P+ 浮置栅 N 源极 S 漏极 D SiO2 -45V