、半导体二极管: 1.二极管的伏安特性: t(m 正向 导通压降: 死区电压 硅管 硅管05锗|死060.7N锗 管0.1V。 管0.2~0.3V。 U(V U 反向击穿 电压U(BR 反向 I-qUA) 图 2.2.1
一、半导体二极管： 1.二极管的伏安特性: U+ (V) I 死区电压 硅管0.5V,锗 管0.1V。 导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。 反向击穿 电压U(BR) 死区 电压 正向 反向 +(mA) I- (uA) U- (V) 图2.2.1
二极管的开关特性: 1.二极管开关的静态特性 K 加正向电压时,二极0→h 管导通,管压降巧可忽 (a) 略。二极管相当于一个 闭合的开关。 图2.2.2二极管加正向电压 加反向电压K时,二极 管截止,反向电流s可 忽略。二极管相当于 R L 个断开的开关。 图2.2.3二极管加反向电压
F D K V F I F V F L R I (a) (b) RL 图2.2.2 二极管加正向电压 二、二极管的开关特性： 1．二极管开关的静态特性： 加正向电压VF时，二极 管导通，管压降VD可忽 略。二极管相当于一个 闭合的开关。 K L D V R I S R V L R R (a) (b) 图2.2.3 二极管加反向电压 加反向电压VR时，二极 管截止，反向电流IS 可 忽略。二极管相当于一 个断开的开关
2.二极管开关的动态特性: I PRL F 图224 0 RR s 反向恢复时间:tne=t十t
反向恢复时间：tre ＝ts十tt 0 t VF VR v i t1 0 t IF IR ts tt 0.1IR i (b) (d) + － D vi RL i (a) t F S (c) i I 0 I t1 t1 图2.2.4 2．二极管开关的动态特性：
反向恢复时间: re 十t 产生反向恢复过程的原因: 反向恢复时间t就是存储电荷消散所需要的时间。 P区耗尽层N区 oooo ooo P区中电子 N区中空穴 浓度分布 浓度分布 (b) Ln p 图2.2.5加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理,二极管从截止转为正向导通也需要时间,这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多,一般可以忽略不计
+ － P 区 耗尽层 N 区 Ln Lp 区中电子 区中空穴 浓度分布 浓度分布 P N (a) (b) x 图2.2.5 加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。 反向恢复时间：tre ＝ts十tt 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间
只要能判断高 cc 低电平即可 R cc 可用三极 管代替 K开--V=1,输出高电平 K合--V。=0,输出低电平 (2-10)
（2-10） 1 0 0V Vcc 只要能判断高 低电平即可 K开------Vo=1, 输出高电平 K合------Vo=0, 输出低电平 Vi Vo K Vcc R 可用三极 管代替