●●●●● ●●●● 电子轰击源 electron impact source:ED) 化合物分子在高真空中受热气化,受到 50~100eV最常用70eV)的电子流(电子束 击之后,会失去电子变成带正电荷的分子离 子。分子离子在电子流的进一步轰击下,又 会发生键的断裂(裂解)而形成各种碎片离子。 M+e(高速)→M++2e(低速)
电子轰击源(electron impact source;EI) 化合物分子在高真空中受热气化，受到 50～100eV(最常用70eV)的电子流(电子束)轰 击之后，会失去电子变成带正电荷的分子离 子。分子离子在电子流的进一步轰击下，又 会发生键的断裂(裂解)而形成各种碎片离子。 M＋e(高速) →M·+ + 2e （低速)
●●●●● ●●●● 电子轰击源示意 ●●0 ●●● ●●●● 0000 试样流 离子東 推斥极 抽加速极聚焦狭缝 阳离子进入加速区,加速后聚集成离 子流引入质量分析器,阴离子和中性碎片 等则被真空抽出系统
电子轰击源示意 阳离子进入加速区，加速后聚集成离 子流引入质量分析器，阴离子和中性碎片 等则被真空抽出系统
●●●●● ●●●● E特点 ●●0 ●●● ●●●● 优点: 离子流稳定,重现性好,制作标准图谱 碎片离子多,信息量大。 有成熟的开裂理论,便于结构分析及鉴别;应 用广泛。 缺点: 分子量大的或稳定性较差的分子常得不到分子 离子峰,不便于确定分子量。 不适于难挥发、热不稳定的化合物分析
EI特点 优点： ⚫ 离子流稳定，重现性好，制作标准图谱。 ⚫ 碎片离子多，信息量大。 ⚫ 有成熟的开裂理论，便于结构分析及鉴别；应 用广泛。 缺点： ⚫ 分子量大的或稳定性较差的分子常得不到分子 离子峰，不便于确定分子量。 ⚫ 不适于难挥发、热不稳定的化合物分析
●●●●● ●●●● ●●0 化学离子源( (chemical ionization source:C 原理和E相似,在其中加入反应气 (CH4、N2、He、NH3),先轰击反应 气,使之成为离子,再去撞击被分析分 子,进行离子-分子反应,生成准分子离 子(MH+,M+1)
化学离子源(chemical ionization source;CI) 原理和EI相似，在其中加入反应气 （CH4、N2、He、NH3），先轰击反应 气，使之成为离子，再去撞击被分析分 子，进行离子-分子反应，生成准分子离 子（MH＋ ，M＋1）
●●●●● ●●●● C特点 ●●0 ●●● ●●●● 优点 软电离方式,分子离子峰强。 CC开裂少,易获官能团的信息。 缺点 重现性差,不能制作标准图谱。 ●不适于难挥发、热不稳定的化合物分析
CI特点 优点 ⚫ 软电离方式，分子离子峰强。 ⚫ C-C开裂少，易获官能团的信息。 缺点 ⚫ 重现性差，不能制作标准图谱。 ⚫ 不适于难挥发、热不稳定的化合物分析