电子束蒸发过程 1.在高真空腔中，电子枪发射的电子经加速获得足 够的动能并聚焦形成电子束。 2。电子束经磁场偏转，向成膜材料轰击加热并使之 蒸发 3,成膜材料蒸发出的原子或分子在高真空环境下的平均自由 程增加，并以直线运动形式撞到硅片表面凝结形成薄膜
电子束蒸发过程 1. 在高真空腔中，电子枪发射的电子经加速获得足 够的动能并聚焦形成电子束。 2. 电子束经磁场偏转，向成膜材料轰击加热并使之 蒸发 3. 成膜材料蒸发出的原子或分子在高真空环境下的平均自由 程增加，并以直线运动形式撞到硅片表面凝结形成薄膜
蒸发的缺点 镀合金膜，成分与靶材有不同：镀化合物要分解，只适 合镀不分解化合物，如氯化物、硫化物、硒化物；蒸发粒子 的动能为0.1~1.0EV,膜附着力弱。 *蒸发的优点： 金属膜沉积速率高，常用于功率器件的厚金属化。可蒸 镀难熔的金属和非金属：铝、钨、钼、锗。最常见的情况 是蒸镀铝
蒸发的缺点： 镀合金膜，成分与靶材有不同; 镀化合物要分解，只适 合镀不分解化合物，如氯化物、硫化物、硒化物; 蒸发粒子 的动能为0.1~1.0EV，膜附着力弱。 蒸发的优点： 金属膜沉积速率高，常用于功率器件的厚金属化。可蒸 镀难熔的金属和非金属：铝、钨、钼、锗。最常见的情况 是蒸镀铝
铝 铝的优，点 1.电阻率低（2.65μ2.cm) 2.与硅和二氧化硅的粘附性好 3.与高糁杂的硅和多晶硅有很好的欧姆接触（合金 化温度450~500℃) 4.易于沉积成膜 5·易于光刻和刻蚀形成微图形
铝 铝的优点 1. 电阻率低（2.65μΩ.cm） 2. 与硅和二氧化硅的粘附性好 3. 与高掺杂的硅和多晶硅有很好的欧姆接触（合金 化温度450～500℃） 4. 易于沉积成膜 5. 易于光刻和刻蚀形成微图形
6.抗腐蚀性能好，因为铝表面总是有一层抗腐蚀性好的氧化 层(AI203) 7.铝的成本低
6. 抗腐蚀性能好，因为铝表面总是有一层抗腐蚀性好的氧化 层（Al2O3） 7. 铝的成本低
实骏步骤 *1、清洗基片。 *2、清洁腔室，放置样品，关舱门 *3、关放气阀，开冷却水，冷却水指示灯亮后，开机 械泵
实验步骤 1、清洗基片。 2、清洁腔室，放置样品，关舱门 3、关放气阀，开冷却水，冷却水指示灯亮后，开机 械泵