A0~An-1VeoWWM“与"项DOWo长衣“或”阵列地址译码器输出“与”阵列:wi2n-1)AXDmKKDAW,W,W输出缓冲器址数地据KXASAoDA1D3D1DoD3WXKK存储矩d000101D+KS101011DW区010001D0111EN"6
6 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm
两个概念：存储矩阵的每个交又点是一个“存储单元”，存无器件存入“0”储单元中有器件存入“1”，WVVW.WW.Ws输出缓冲器片VppXK7AAAAHCD;K?存储矩阵D2FX?id,D区区AdBD汇EN'EN“字数×位数”存储器的容量：
7 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存 储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数
掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性WaVWolW,W2W片Vpp输出缓冲器KKDKX-存储矩阵dWDKKd以DXEWDEN'8
8 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性
Z.2.2可编程ROM（PROMD总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同Vc字线熔b丝-位线*熔丝由易熔合金制成*出厂时，每个结点上都有*编程时将不用的熔断！！是一次性编程，不能改写D
9 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成
Z.2.2可编程ROM（PROMD总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同VocA342存译码储W15矩阵文2V读/写2V放大器A$亚写入时，要使用编程器文AVV金10DD.D.DDDDD
10 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器