第3章场效应管及其放大电路 3.2.1N沟道增强型场效应管 1.结构 P衬底杂质浓度较低， d 引出电极用B表示。 N+ N+ +两个区杂质浓度很高， 分别引出源极s和漏极d。 P型衬底 栅极g与其他电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 B 铝 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 2.工作原理 导电沟道的形成 假设4Ds=0,同时uGs>0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大ucs，则耗尽层变宽。 N型沟道 当4cs增大到一定值时， P型衬底 形成一个N型导电沟道。 又称之为反型层 B 开启电压，用ucs表示 4Gs>UGsh时 导电沟道随ucs增大而增宽。 形成导电沟道 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 ups对导电沟道的影响 4cs为某一个大于Ucs,的固定值， g d 在漏极和源极之间加正电压， 且4ps<4cs-UGs(th) N+ 即4cD=ucs-uDs>UGst N型沟道 则有电流iD产生， P型衬底 使导电沟道发生变化。 当WDs增大到4ps=4Gs-Ucsh B 即4cD=4cs-4ps=Ucsh时， 4Ds对导电沟道的 沟道被预夹断，，饱和。 影响 电气与电子工程学院