第3章场效应管及其放大电路 2.漏源电压对D的影响 is=ip g g P+ DD D+ GG S lis ↓is UGS=0,UGD UGS(of) UGS<0,UGD-UGS(of) 沟道较宽，in较大。 沟道变窄，io较小。 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 l ip D十 P+ DD VGG lis lis UGS<0,UGD=UGS(om)' 4cs≤Ucs(om，ucD<UGS(or)' i,更小，导电沟道预夹断。 iD≈0，导电沟道夹断 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 3.1.3结型场效应管的特性曲线 预夹断轨迹 lupS-UGSl=IUGS(oml 1.输出特性 ip/mA 可变 ucs=0 ib∫(uDs)uGs=常数 Ipss 电阻区 ■■■■配 可变电阻区： ■ -2 :击穿区 ib与4ps基本上呈线性关系， 恒流区 但不同的wcs其斜率不同。 -6 恒流区：又称饱和区， -8 in几乎与4ns无关， UGS(of 8V 夹断电压 ups/V i的值受ucs控制。 沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿，i电流突然增大。 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 D 2.转移特性 iD=f(ucs）uos=常数 mA ip/mA 饱和漏极电流 场效应管特性曲线测试电路 UGs(off) 0 uGs/V 栅源间加反向电压ucs<0 N沟道结型场效应管转 移特性 利用场效应管输入电阻高的优点。 Ip=Ins (os Ls-}当Up≤Ucs≤0时) 电气与电子工程学院
第3章场效应管及其放大电路 K L 3.2绝缘栅型场效应管 3.2.1N沟道增强型场效应管 3.2.2N沟道耗尽型场效应管 ☒ 、 电气与电子工程学院