2、屏蔽液和穿透敌液 屏蔽敌应 ■把其他电子对指定电子排斥 力归结为核对指定电子吸引力 电子c 的减弱 实际作用在指定电子上的核电 荷称为有效核电荷Z*,并且有 z*=z-σ称为屏蔽常数 ■屏蔽效应的大小: 内层电子对外层电子的屏蔽作用 较大 同层电子间屏蔽作用较小 外层电子对内层电子无屏蔽作用
◼ 把其他电子对指定电子i的排斥 力归结为核对指定电子吸引力 的减弱。 ◼ 实际作用在指定电子上的核电 荷称为有效核电荷Z*，并且有 Z*=Z-σ σ称为屏蔽常数 ◼ 屏蔽效应的大小: ◼ 内层电子对外层电子的屏蔽作用 较大； ◼ 同层电子间屏蔽作用较小； ◼ 外层电子对内层电子无屏蔽作用。 2、屏蔽效应和穿透效应 电子i 屏蔽效应
穿透敌应 0.25 0.15 由于电子钻穿而引起能0 量发生变化的现象。 14 r/10 从径向分布图可以看出,02 当电子为3或3p或3d0 电子时,钻穿效应的大0 小是不同的。 468101214 钻穿效应的大小为: 0.25 3d 当n相同时,4越小, 0.15 钻穿效应越大 01214 r/10-10
◼ 由于电子钻穿而引起能 量发生变化的现象。 ◼ 从径向分布图可以看出， 当电子为3s或3p或3d 电子时，钻穿效应的大 小是不同的。 ◼ 钻穿效应的大小为： 当n相同时，l 越小， 钻穿效应越大。 穿透效应
Dr 能級没错现象 3d 在原子轨道近似能级图 4s 中,从第四能级组开始 出现了能级交错现象, 这一现象可用屏蔽效应 和穿透效应来解释。 能级交错现象出现在: 比较4s和3d轨道的径向分布图: E<EE dip 4s的最大峰比3d远 Ess < E4d <Esp 4s的穿透作用较3d强 E<E<E<E bp 4s电子能更好地回避其它电子E<Es<E6d<E 的屏蔽,因而E4s<E3d
能级交错现象 ◼ 在原子轨道近似能级图 中，从第四能级组开始 出现了能级交错现象， 这一现象可用屏蔽效应 和穿透效应来解释。 比较4s和3d轨道的径向分布图： ◼4s的最大峰比3d远 ◼4s的穿透作用较3d强 ◼4s电子能更好地回避其它电子 的屏蔽，因而E4s<E3d。 ◼能级交错现象出现在： E4s<E3d<E4p E5s<E4d<E5p E6s<E4f<E5d<E6p E7s<E5f<E6d<E7p
解释鲍林能级近似图 在多电子原子中,屏蔽效应和钻穿效应同时存在,共 同作用的结果使得多电子原子中原子轨道的能量高低 为: d相同,n越大,电子的能量越高,如E1s<E2s<E3s an相同,越大,电子的能量越高,如E35<E3p<E3d ■发生能级交错现象
解释鲍林能级近似图 ◼ 在多电子原子中，屏蔽效应和钻穿效应同时存在，共 同作用的结果使得多电子原子中原子轨道的能量高低 为： ◼ l 相同，n越大，电子的能量越高，如E1s<E2s<E3s ◼ n相同，l 越大，电子的能量越高，如E3s<E3p<E3d ◼ 发生能级交错现象
棱外电子排布的原则 基态原子核外电子排布遵循以下三条原则: 能量最低原理 保里不相容原理 洪特親则
二、核外电子排布的原则 基态原子核外电子排布遵循以下三条原则： ◼ 能量最低原理 ◼ 保里不相容原理 ◼ 洪特规则