数字电子技术 第四章 组合} 4.7 只读存储器 (ROM) 掩模ROM(Read Only Memory) 按数据 写入方 可编程ROM(PROM一Programmable ROM) 式分类 可擦除可编程ROM(EPROM一Erasable PROM) 说明： 掩模ROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 PROM 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM或E2PROM电擦除 (几十毫秒)
第四章 组合逻辑电路 4.7 只读存储器（ROM） 按数据 写入方 式分类 掩模 ROM（Read Only Memory） 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM） 可擦除可编程 ROM（EPROM — Erasable PROM） 说明: 掩模 ROM PROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒）
数字电子技术 第四章组合} 4.7.1ROM的结构和工作原理 一、ROM的结构示意图 1.基本结构一外围引脚 D D 数据输出 ●●●●●● Do D ●●●●●d D b-1 2Xb ROM ●●●●●● ●●●●●● A0 A A-1 地址输入 图3.6.1基本结构示意图
第四章 组合逻辑电路 4.7.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构——外围引脚 一、ROM 的结构示意图 地址输入 数据输出 A0 A1 An-1 D0 D1 Db-1 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 2 n×b ROM …… …… …… …… 图3.6.1 基本结构示意图
数字电子技术 第四章组合量I 2.内部结构示意图 内部功能部件 地址译码器 存储单元 Wo 0单元 A 1单元 位地址输入 W 线 : i单元 W2-1 2"-1单元 位线 Do D Do- b位数据输出 ROM存储容量=字线数×位线数=2"×b（位)
第四章 组合逻辑电路 2. 内部结构示意图——内部功能部件 存储单元 b位数据输出 字 线 位线 地址译码器 ROM 存储容量 = 字线数 位线数 = 2n b（位） n 位 地 址 输 入 0单元 1单元 i单元 2 n -1单元 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 W0 W1 Wi W2 n -1
数字电子技术 第四章 组合 3.逻辑结构示意图一从逻辑函数实现的角度来看 ()中大规模集成电路中逻辑图简化画法的约定 ABCD HD 与门 A & B Y=A·B·D D 州D 或门 Y=A+B+C ↑ 连上且为硬连接，不能通过编程改变 米 编程连接，可以通过编程将其断开 十 断开
第四章 组合逻辑电路 3. 逻辑结构示意图——从逻辑函数实现的角度来看 (1) 中大规模集成电路中逻辑图简化画法的约定 连上且为硬连接，不能通过编程改变 编程连接，可以通过编程将其断开 断开 Y A B D A B C D A B D Y & Y A B C A B C Y ≥1 与门 或门
数字电子技术 第四章组合} 缓冲器 A Y=d 1。 同相输出 反相输出 互补输出
第四章 组合逻辑电路 A Y=A A Y=A Z=A Y=A A A Y 1 A 1 Y A 1 Y Z 缓冲器 同相输出 反相输出 互补输出