正电子概况VIII 正电子技术在材料科学 中的应用-半导体 叶邦角 LNSI 核固体物理研究室 Laboratory of Nuclear Solid State Physics, USTC
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正©电子在半导体中的应用 e source thermalization OOOO e diffusion typical diffusion length: 入=100nm trapping
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半导体材料 ●第一代半导体材料：Si,Ge ●第二代半导体材料：Ⅱ-V族化合物 (GaAs, InP等) ●ⅡVI族化合物等单晶(CdSe等)， ●子 第三代宽带隙半导体：IV-IV族化合物(SiC等) 单晶、微晶、纳米晶和非晶半导体
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Positron Studies of Semiconductor Defects (PSSD) PSSD-2004,第4届，美国华盛顿州立大学 。 PSSD-2002,第3届，日本东北大学 PSSD-1999,第2届，McMaster Univ.加拿大 PSSD-1994,第1届，Halle,.德国
Positron Studies of Semiconductor Defects (PSSD) • PSSD-2004,4ሞ, 㕢ढⲯ乓Ꮂゟᄺ • PSSD-2002,3ሞ, ᮹ᴀϰ࣫ᄺ • PSSD-1999,2ሞ, McMaster Univ. ࡴᣓ • PSSD-1994,1ሞ, Halle, ᖋ