2输出特性 ic =f(uce) 对应于一个I就有一条iC随uc变化的曲线。 饱和区 ic I84 1吧 B= △ig △iB UcE=常量 1B2 IBL 放大区 1B=0 uce 截止区
2. 输出特性 B ( ) C uCE I i f 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 饱和区 放大区 截止区 B iC i 常量 CE B C U i i
晶体管的三个工作区域 饱和区 1B 放 IB3 △IB 大 I82 区 BB 1B=0 截止区 状态 uBE ic UCE 截止 ∠Uom ICEO Vcc 放大 ≥Um Bis ≥UBE 饱和 ≥Un <Big ≤UBE 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流i几乎仅仅 决定于输入回路的电流i,即可将输出回路等效为电流。 控制的电流源ic
晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅 决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE
(1)放大区 ic/mA 三极管工作在放大区时， 其发射结正向偏置，集电结处 80 于反向偏置，其具有： 放 60 3 ★放大性：小的基极电流， 40 可以得到较大的集电极电流 iB=20μA △ic=p△iR,放大区也称线性 区 iB=0 区； 121620uc/V 8 ★恒流性：集电极电流基本不随 集射结之间的电压而变化； ★可控性：集电极电流受基极电流的控制。 △ic=BAiB
（1）放大区 三极管工作在放大区时， 其发射结正向偏置，集电结处 于反向偏置，其具有： ★放大性：小的基极电流， 可以得到较大的集电极电流 △iC=β△iB，放大区也称线性 区； ★恒流性：集电极电流基本不随 集射结之间的电压而变化； ★可控性：集电极电流受基极电流的控制。 C B i ＝i 放 大 区
(2)饱和区 三极管工作在饱和区时， ic/mA 发射结正偏，集电结正偏或者 反偏电压很小 5 80 4 △ic≠BAiB 炮梅区 60 3 管子进 40 2 入饱和 iB=20μA 区后 Ucp很小，小 iB=0 4 于1V 8121620ucE/V 饱和电压： =0.3V(硅管 Ucs=0.1V(锗管
CES U 0.3V（硅管） 管子进 入饱和 区后 （2）饱和区 三极管工作在饱和区时， 发射结正偏，集电结正偏或者 反偏电压很小 C B i i CES U 0.1V（锗管） β↓ UCE很小，小 于1V 饱 和 区 饱和电压：
(3)截止区 当发射结电压小于死区电 ic/mA 压时，三极管工作在截止区 为使三极管可靠截止，常使发 80 射结处于反偏状态。 60 发射结和集电 40 三极管 结均反偏 iB=20uA 工作在 截止区 iB=0 截出区 iB =0,ic =ICEO ,812 16204cE/V 注意： 在放大电路中，晶体管只能工作在放大区，避免工作在饱 和区和载止区；而在数字电路中，晶体管工作在饱和区和载 上区，放大区是过渡区
（3）截止区 当发射结电压小于死区电 压时，三极管工作在截止区。 为使三极管可靠截止，常使发 射结处于反偏状态。 三极管 工作在 截止区 发射结和集电 结均反偏 B C CEO i 0，i I 截 止 区 注意： 在放大电路中，晶体管只能工作在放大区，避免工作在饱 和区和截止区；而在数字电路中，晶体管工作在饱和区和截 止区，放大区是过渡区