第二章晶休管及基李效大电陆 §2.1晶体三极管 §2.2放大的概念与放大电路的性能指标 §2.3基本共射放大电路的工作原理 §2.4放大电路的分析方法 §2.5静态工作点的稳定 §2.6晶体管放大电路的三种接法 §2.7多级放大电路 §2.8放大电路的频率特性
第二章 晶体管及基本放大电路 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.1 晶体三极管 §2.8 放大电路的频率特性
§21晶体三极管 晶体管的结构和符号 二、 晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
一、晶体管的猪构和符号 小功率管 中功率管 大功率管 晶体管分类： 晶体管按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率 分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功 率管、中功率管和大功率管；按结构分为NPN管和PNP管
一 、晶体管的结构和符号 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 晶体管分类： 晶体管按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率 分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功 率管、中功率管和大功率管；按结构分为NPN管和PNP管
一、晶体管的猪构和符号 c集电极 面积大 ℃集电极 N P 集电区 集电结 集电区 集电结 b。 基区 b 基N b 基极 基极 P 发射结 N 符号 发射结 符号 发射区 e e 发射区 PNP T NPN e发射极 e发射极 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 晶体管有三个极、三个区、两个PN结
一 、晶体管的结构和符号 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 P N P 集电区 发射区 基区 c 集电极 b 基极 e 发射极 集电结 发射结 （c） PNP管结构示意图 符号 符号 多子浓度很 低，且很薄 多子浓度高 面积大 NPN PNP
国产 常用中小功率三极管参数表 型号 材料与极性PcmW)cmmA)BVcbo(V) f(z) 第一部分： 第二部分：三极 3DG6C SI-NPN 0.1 第 20 45 >100 主称 管的材料和特性 3DG7C SI-NPN 0.5 100 60 >100 数 300 字。 含义 字母 含义e 字母：3DG12C SI-NPN 0.7 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 锗材料、P A NP型 Xo 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 锗材料N A 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 B. PN型 D. 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 硅材料、 To C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 PNP型 3 K 三极管 C9012 SI-PNP 0.625 -500 40 硅材料、N Ve C9013 SI-NPN 0.625 500 40 PN型 Be C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 Je E. 化合物材 U C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 料e C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G
硅材料、 PNP型