二、晶体管的放大原理 uo 放大的条件 E>Um（发射结正偏 lcB≥0，即4cE≥4E（集电结反偏) ①发射区掺杂浓度最高 Vc>VB>VE 内部 条件 ②基区很薄 ③集电区面积大 e 放大 NPN 条件 ①发射结正偏 外部 条件 ②集电结反偏 VC<VB<VE e PNP
二、晶体管的放大原理 ，即 （集电结反偏） （发射结正偏） 放大的条件 CB CE BE BE on u 0 u u u U PNP 放大 条件 内部 条件 ①发射区掺杂浓度最高 ②基区很薄 ③集电区面积大 外部 条件 ①发射结正偏 ②集电结反偏 NPN – + ++ VC >VB> VE + – –– VC<VB< VE
少数载流 因集电区面积大，在外电场作用下大 子的运动 CBO 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 D 数扩散到基区的电子与空穴复合 Vcc 因发射区多子浓度高使大量 BB EN 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散 扩散运动形成发射极电流I,复合运动形成基极电 流I,漂移运动形成集电极电流Ic
b e c N P N 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电 流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流 子的运动 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴 的扩散
三极管内部载流子运动过程 鸭提问：若发 射结正偏电压 很小或反偏则 结果如何？ CBO R bc结社 些提问： 若集电结 反偏电压 BN 阳结加正南锦置书乐 be结 很小或正 Ucc 5结加反向偏置电压 偏则结果 如何？ U BB 图2-35三极管内部载流子运动示意图
三极管内部载流子运动过程 c b e 图2-35 三极管内部载流子运动示意图 CBO I EP I N P N bc结 be结 CN I BN I EN I Rb B I UBB be 结 加 正 向 偏 置 电 压 Rc UCC bc 结 加 反 向 偏 置 电 压 C I E I 提问： 若集电结 反偏电压 很小或正 偏则结果 如何？ 提问：若发 射结正偏电压 很小或反偏则 结果如何？
◆电流分配： IE=IB十Ic I一扩散运动形成的电流 IB一复合运动形成的电流 uo Ic一漂移运动形成的电流 △2u BB 直流电流 交流电流放大系数 放大系数 B B= △ib ICEO =(1+B)ICBO 穿透电流 集电结反向电流
¨ 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 CEO CBO B C B C I (1 )I i i I I 穿透电流 集电结反向电流 直流电流 放大系数 交流电流放大系数
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1.输入特性 in =f(upe)ver 0.5V UCE=0 ≥1V uBE 对于小功率晶体管，Uc大于1V的一条输入特性曲线 可以取代Uc大于1V的所有输入特性曲线
三、晶体管的共射输入特性和输出特性 CE ( ) B uBE U i f 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 1. 输入特性