MM-GEM探测器研究2 微网最佳透过率下的场强比 2500 最优电场分配的测量 2000 分别改变电场分配关系 1500 测量电子透过率 95%Ar+5%ISo(Mesh=370V) 微网两端场强最佳比值 为216.8 口GEM与漂移区最佳场强比 216.8 1000 V-avalanche/V-transfer 为67.08 增益测量 MicroMEGAS电场分配测量 MM-GEM稳定工作 GEM膜最佳透过率下的场强比 有效增益明显提高 1000000 GEM:230V GEM:250V GEM:290V 95%Ar+5%so(esh=270V, GEM=280v) GEM: 310V 1000 指数(GEM=230 67.08 指数(GEM=270 V-Gem/v-conversion 指数(GEM=290 Mesh Voltage(V) 指数GEM=310 GEM电场分配测量 有效增益比较
MM-GEM探测器研究2 最优电场分配的测量 分别改变电场分配关系 测量电子透过率 微网两端场强最佳比值 为216.8 GEM与漂移区最佳场强比 为67.08 增益测量 MM-GEM稳定工作 有效增益明显提高 MicroMEGAS电场分配测量 GEM电场分配测量 有效增益比较
MM-GEM探测器研究3 2; 能量分辨率测量 40 探测器稳定工作 30 口能量分辨率-21% a与GEM工作电压关系不大 10 与 MicroMEGAS工作电压关系不大 012001400160018002 2400 信号上升时间测量 能量分辨率21%a55Fe 口1000次信号统计结果 口与 MM-GEM有效增益相关 口138ns~145ns之间 Rise Time 00060008000100001200014000160001800020000 能量分辨率与GEM、MM工作电压关系 输出信号上升时间与有效增益的关系
MM-GEM探测器研究3 能量分辨率测量 探测器稳定工作 能量分辨率~21% 与GEM工作电压关系不大 与MicroMEGAS工作电压关系不大 信号上升时间测量 1000次信号统计结果 与MM-GEM有效增益相关 138ns~145ns之间 能量分辨率21%@55Fe 能量分辨率与GEM、MM工作电压关系 输出信号上升时间与有效增益的关系