PMOS管做源随管以提高增益线性度 提高了线性度 DD M 2 Vout n-well Contacts + vn。1 )Em(Vin-Vout) GND 1(7o1o2 +gm(h)源衬寄生电容降低带宽 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 16 PMOS管做源随管以提高增益线性度 提高了线性度 1 ( ) ( ) 1 1 2 1 1 2 m O O m O O v g r r g r r A 源 -衬寄生电容降低带宽
考虑ro和R1后的增益 9 M v·M2R o1 =/o2= RL gmb会随Vu改变而改变 ‖2R2)2、亚微米工艺中,r会随 g lo改变而改变 1+gn(|A2R)所以,源随器通常有百分之 几的非线性 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 17 考虑 r O 和 R L后的增益 || || || ) 1 1 ( || || || ) 1 ( 1 2 1 2 o o L mb m o o L mb m v r r R g g r r R g g A 1 、 gmb会随 Vout改变而改变 2、亚微米工艺中， r o会随 Vout改变而改变 所以，源随器通常有百分之 几的非线性
小信号特性一R n M ②gmV1⑦g mb bs out out R s R s R 低频下,L1=0,因此,R1n=∞ 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 18 小信号特性－ Rin in in in I V R Iin 低频下， Iin=0，因此， Rin = ∞
小信号特性一R 输出阻抗小 M R out 驱动低阻负载时 8m+8mb的阻抗转换电路 R s m=Vm+y2c+8-√2c ac M ac ②gm⑨9m%s" R out 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 19 小信号特性－ Rout m mb out g g R 1 VTH VTH 0 2 F VSB 2 F 输出阻抗小 驱动低阻负载时 的阻抗转换电路
PMOS管做源随管 在相同W/L和 DD 情况下, gm比g mn m 大 S PMOS时的 out G 输出阻抗比 ○sm( E(Vin- You NMOS时大 M 8m=12lpsucox R out 0102 out NMOs o m mb 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 20 PMOS管做源随管 在相同W/L 和 I D情况下， gmn 比 gmp大， PMOS 时的 输出阻抗比 NMOS时大 m O O m out g r r g R 1 1 1 2 m mb out NMOS g g R 1 , L W g m 2 I DS COX