北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（模拟集成电路原理与设计）第三章 单级放大器（二）

小信号特性一增益 ②gamV1⑦gm M R s out R gm, rs Au I +(8n +gb,)Rs 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 11 小信号特性－增益

增益随V:的变化 v。M, 10… 1+1 out IV时 s n=0.163 TH in R S 1+( 8m+8mbRs +(1+8m +(1+m) R 8m gmRs (当gnR足够大时) 77 1+1 2√2Φ》+VsB 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 12 增益随 Vin的变化 ( g ) 1 1 ( 1 ) 1 1 ( 1 ) 1 1 1 ( ) 当 m S足够大时 m m S mb m S m mb S m S v R g g R g g R g g R g R A              F  VSB  2 2   Vout=1V时， =0.163

增益的非线性 v。M, 10… 1+1 out IV时 s n=0.163 TH in R S 1+( 8m+8mbRs +(1+8m +(1+m) R 8m gmRs (当gnR足够大时) 77 1+1 2√2Φ》+VsB 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 13 增益的非线性 ( g ) 1 1 ( 1 ) 1 1 ( 1 ) 1 1 1 ( ) 当 m S足够大时 m m S mb m S m mb S m S v R g g R g g R g g R g R A              F  VSB  2 2   Vout=1V时， =0.163

增大Rs以提高增益线性度 DD M M M ut out R s (1 v6·M2 gm Rs m(坐R=时 1+(gn+8n)R +(om +gmh) gm tomb 即使R=∞,仍存在非线性 (n)gm随Ⅴn的变化而改变 tn 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 14 增大Rs以提高增益线性度 ( ) ( ) 1 ( ) 1 当  时         S m mb m m mb S m m mb S m S v R g g g g g R g g g R g R A 即使 R s = ∞ ，仍存在非线性    1 1 （ A v  ） gmb 随 Vin 的变化而改变

PMOS管做源随管以提高增益线性度 消除体效应 DD DD M 2 n-well n-well Contacts M GND 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 15 PMOS管做源随管以提高增益线性度 消除体效应